主要結(jié)晶態(tài)變?yōu)棰騩2
發(fā)布時(shí)間:2016/8/9 20:33:05 訪問(wèn)次數(shù):555
Wcn Fcllg等人阝叨研究了Tio2/S⒑2DBR膜系的Tio2在退火前后的反射率差異。 B10P-SHF-1AA如圖5-鍤所示(a)為TitOl膜層X(jué)RD是纊2緗描曲線,結(jié)果表明在退火前TitOv膜層主要結(jié)晶態(tài)是△305,富氧環(huán)境下375℃退火30min后,其主要結(jié)晶態(tài)變?yōu)棰騩2。說(shuō)明富氧環(huán)境高溫退火后,膜層的結(jié)晶態(tài)由⒒305向Tio2轉(zhuǎn)變,而Tio2比Ⅱ305的光吸收率明顯降低,圖5砰6(b)所示為退火前后A1203、△3O5/A1203和Tio2從bo3的透射光譜,可明顯觀察到退火后透過(guò)率升高。這也表明常用的Sio2/Tio2DBR結(jié)構(gòu)對(duì)溫度和沉積氣氛及壓力非常敏感。不過(guò)在GaN基LED的DBR背鍍制程中,一般△02的沉積環(huán)境溫度不會(huì)超過(guò)⒛0℃,因?yàn)?/span>要考慮到在沉積時(shí)有離子源在輔助轟擊,這一方面可以起到補(bǔ)氧的作用,另一方面也是一個(gè)物理轟擊的過(guò)程,會(huì)使得被轟擊的溫度升高,如果環(huán)境溫度太高的話,會(huì)引起LED歐姆接觸性能變壞,從而表現(xiàn)出/l升高。
Wcn Fcllg等人阝叨研究了Tio2/S⒑2DBR膜系的Tio2在退火前后的反射率差異。 B10P-SHF-1AA如圖5-鍤所示(a)為TitOl膜層X(jué)RD是纊2緗描曲線,結(jié)果表明在退火前TitOv膜層主要結(jié)晶態(tài)是△305,富氧環(huán)境下375℃退火30min后,其主要結(jié)晶態(tài)變?yōu)棰騩2。說(shuō)明富氧環(huán)境高溫退火后,膜層的結(jié)晶態(tài)由⒒305向Tio2轉(zhuǎn)變,而Tio2比Ⅱ305的光吸收率明顯降低,圖5砰6(b)所示為退火前后A1203、△3O5/A1203和Tio2從bo3的透射光譜,可明顯觀察到退火后透過(guò)率升高。這也表明常用的Sio2/Tio2DBR結(jié)構(gòu)對(duì)溫度和沉積氣氛及壓力非常敏感。不過(guò)在GaN基LED的DBR背鍍制程中,一般△02的沉積環(huán)境溫度不會(huì)超過(guò)⒛0℃,因?yàn)?/span>要考慮到在沉積時(shí)有離子源在輔助轟擊,這一方面可以起到補(bǔ)氧的作用,另一方面也是一個(gè)物理轟擊的過(guò)程,會(huì)使得被轟擊的溫度升高,如果環(huán)境溫度太高的話,會(huì)引起LED歐姆接觸性能變壞,從而表現(xiàn)出/l升高。
相關(guān)技術(shù)資料- 8-9主要結(jié)晶態(tài)變?yōu)棰騩2
- 相關(guān)IC型號(hào)
- B10P-SHF-1AA
- 暫無(wú)最新型號(hào)
熱門點(diǎn)擊
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