薄膜發(fā)光二極管由Schnitz∝等人在1993年針對礦-AlGaAs/p-GaAs/p+-川GaAs雙異質結LED提出冂,包含了薄膜LED的關鍵技術點,如反光鏡、鍵合、 BATF003G5K28-00R外延襯底去除、粗化等。這種轉移襯底提高器件性能的方法在InGaN LED,RC-LED,VCsEL,光探測器等光電子器件中有廣泛應用lSl。對于轉移襯底的選擇,一般會選擇⒐作為新的襯底,其他散熱導電性能好的金屬也可以。在這種結構中由于ODR的反射作用,使得襯底吸收沒有了,具有更高的光提取效率和流明效率;由于采用了Si或者其他金屬,使得具有更好的散熱特性,適合大電流下工作,同時也具有更低的生產成本(對比透明襯底而言);由于鍵合工藝簡單,易于量產。另一種轉移襯底是透明襯底A1203或散熱良好的AlN,由于這兩種襯底的不導電性,器件結構為橫向結構,即P電極和N電極在同一面,如圖⒍6所示。