全方向反射鏡(ODR)中包括金屬層、半導(dǎo)體AC1501-3.3層和低折射率材料層。對于AlGaInP LED,與反光鏡接觸的是p型電流擴展層GaP。低折射率的介質(zhì)材料有sio2、Si、、ITo(氧化銦錫,Indium△n Oxidc)等Hl94劍。s⒑2、Si殘薄膜不導(dǎo)電,工藝中通過腐蝕導(dǎo)電小孔來解決,也可以通過做成橫向電極的方式。ITo透明導(dǎo)電膜為Sn摻雜的In2o3的薄膜,屬于重摻n型半導(dǎo)體材料,載流子濃度高達1021數(shù)量級,電阻率低至104Ω℃m,禁帶寬度為3.5~4cV,可見光區(qū)域高達9o%的透射率。ITo膜的載流子主要來自氧空位和替代In3+的Sn4+離子u3,4釗。IT。透明導(dǎo)電膜因其電阻率低,可見光區(qū)透過率達到9O%以上在LED中得到了廣泛應(yīng)用。其關(guān)鍵工藝包括反光鏡、鍵合、粗化等。反光鏡包括Au、Ag、so2/Au、So2/Ag、ITo/Ag等,鍵合的方式有銀漿鍵合、金銦鍵合、金錫鍵合等。薄膜LED中的oDR包括3層,分別為折射率為刀s的半導(dǎo)體層,″4刀厚的低折射率鉤i

的介質(zhì)層、復(fù)折射率為凡n=刀m+F煸的金屬層。隨角度變化的半導(dǎo)體/金屬界面的反射率為:

   在波長ω0nm處,取Siα和ITo的折射率分別為幻il=1,繡、刀Ⅱ2=1.8,Au薄膜的復(fù)折射率為99su=0。18、虹u=2,7,半導(dǎo)體GaP的折射率刀GaP=3,3,由式(6-5)和式(6巧)得到Au/GaP、Au/ITo/GaP、Au/Sio./GaP的反射率隨角度變化如圖6ˉ29所示,三者的平均反射率分別為97.9%,叨。8%和97.7%D習(xí)。下面以如圖⒍30所示的sio2和ITo oDR結(jié)構(gòu)為例,介紹其制備過程。因⒐o2屬于絕緣介質(zhì)層,要滿足導(dǎo)電的特性,在工藝上常采用腐蝕小孔,淀積金屬的方式。首先直接濺射1um厚的Au作為歐姆接觸層,反光鏡,鍵合層。S⒑20DR的制作:通過PECVD淀積105nm(〃4刀,龍=“onm,刀=1.笱)厚的siα膜;光刻腐蝕出直徑5um,周期為18um的小孔;濺射AuznAu (1onln/1onlllJ20Ollm),丙酮剝離;濺射1um厚的Au,用以鍵合。

   ITo oDR的制作:電子束蒸發(fā)98nm(〃4刀,兄=63onm,刀=1.6)的ITO;濺射AuznAu(10nln/10nln/1000nm)。