垂直結(jié)構(gòu)芯片的優(yōu)勢
發(fā)布時間:2016/8/5 20:54:00 訪問次數(shù):3564
與傳統(tǒng)的平面結(jié)構(gòu)LED相比,垂直結(jié)構(gòu)LED具有許多優(yōu)點:
(1)平面結(jié)構(gòu)LED的P、N電極在同一側(cè),電流在n型和p型GaN限制層中橫向流動,電流分布不均勻,JM20339導致電流擁擠,發(fā)熱量高[如圖4-35(a)所示⒈而垂直結(jié)構(gòu)LED兩個電極分別在LED芯片外延層的上下兩側(cè),電流幾乎全部垂直流過外延層,沒有橫向流動的電流,電流分布均勻,產(chǎn)生的熱量減少[蟲口圖⒋35(b)所示]。
圖⒋36 比較垂苴結(jié)構(gòu)與水平結(jié)構(gòu)r/特性曲線
(2)傳統(tǒng)的正裝結(jié)構(gòu)采用藍寶石襯底,由于藍寶石襯底不導電,所以需要刻蝕臺面,犧牲了有源區(qū)的面積。另外,由于藍寶石襯底的導熱性差[35W/(m・K)],限制了LED芯片的散熱;垂直結(jié)構(gòu)LED采用鍵合與剝離的方法將藍寶石襯底去除,換成導電性好并且具有高熱導率的襯底,不僅不需要刻蝕臺面,可充分的利用有源區(qū),降低電壓,提升亮度,而且可有效地散熱。如圖⒋36所示,相同芯片在相同驅(qū)動電流下,垂直結(jié)構(gòu)芯片正向電壓明顯低于傳統(tǒng)的水平結(jié)構(gòu)芯片。
與傳統(tǒng)的平面結(jié)構(gòu)LED相比,垂直結(jié)構(gòu)LED具有許多優(yōu)點:
(1)平面結(jié)構(gòu)LED的P、N電極在同一側(cè),電流在n型和p型GaN限制層中橫向流動,電流分布不均勻,JM20339導致電流擁擠,發(fā)熱量高[如圖4-35(a)所示⒈而垂直結(jié)構(gòu)LED兩個電極分別在LED芯片外延層的上下兩側(cè),電流幾乎全部垂直流過外延層,沒有橫向流動的電流,電流分布均勻,產(chǎn)生的熱量減少[蟲口圖⒋35(b)所示]。
圖⒋36 比較垂苴結(jié)構(gòu)與水平結(jié)構(gòu)r/特性曲線
(2)傳統(tǒng)的正裝結(jié)構(gòu)采用藍寶石襯底,由于藍寶石襯底不導電,所以需要刻蝕臺面,犧牲了有源區(qū)的面積。另外,由于藍寶石襯底的導熱性差[35W/(m・K)],限制了LED芯片的散熱;垂直結(jié)構(gòu)LED采用鍵合與剝離的方法將藍寶石襯底去除,換成導電性好并且具有高熱導率的襯底,不僅不需要刻蝕臺面,可充分的利用有源區(qū),降低電壓,提升亮度,而且可有效地散熱。如圖⒋36所示,相同芯片在相同驅(qū)動電流下,垂直結(jié)構(gòu)芯片正向電壓明顯低于傳統(tǒng)的水平結(jié)構(gòu)芯片。
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