正裝結構GaN基LED
發(fā)布時間:2016/8/6 15:12:13 訪問次數(shù):930
正裝結構GaN基LED,p-GaN層為出光面,由于該層較薄,不利于制作表面微結構。K1292但是對于垂直結構LED,n-GaN層為出光面,該層具有一定的厚度,便于制作表面微結構,以提高光提取效率⒓⒊2釗,如圖⒋37所示為表面粗化的垂直結構LED示意圖和其粗化表面
的SEM圖。
總之,與傳統(tǒng)平面結構相比,垂直結構在出光、有源區(qū)利用率、散熱等方面具有明顯的優(yōu)勢。
圖⒋37 表面粗化的垂直結構LED示意圖和其粗化表面的sEM圖
正裝結構GaN基LED,p-GaN層為出光面,由于該層較薄,不利于制作表面微結構。K1292但是對于垂直結構LED,n-GaN層為出光面,該層具有一定的厚度,便于制作表面微結構,以提高光提取效率⒓⒊2釗,如圖⒋37所示為表面粗化的垂直結構LED示意圖和其粗化表面
的SEM圖。
總之,與傳統(tǒng)平面結構相比,垂直結構在出光、有源區(qū)利用率、散熱等方面具有明顯的優(yōu)勢。
圖⒋37 表面粗化的垂直結構LED示意圖和其粗化表面的sEM圖
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公網安備44030402000607
