封裝結(jié)構(gòu)的熱學(xué)參數(shù)模擬計(jì)算
發(fā)布時(shí)間:2016/8/13 23:39:26 訪問次數(shù):523
正裝芯片的結(jié)構(gòu)如圖7~35(a)所示,熱量主要產(chǎn)生在有源區(qū),有源區(qū)上方p-GaN層和P透明電極層, ALC100這兩層的厚度都非常薄,大約2~3um,這兩層上面是環(huán)氧樹脂、熒光粉和塑料透鏡,如上所述只有極少一部分熱量向上傳播散出。有源層下方依次是ll-αⅨ,GaN緩沖層和藍(lán)寶石襯底層。芯片通過絕緣膠粘在金屬基板熱沉上,整個(gè)LED被放在大散熱片上(實(shí)際封裝結(jié)構(gòu)不同,這個(gè)熱沉的尺寸及材料都會(huì)有所變化),如圖7-35所示,熱沉與散熱片之間通過導(dǎo)熱膠粘結(jié)。
計(jì)算結(jié)果如圖⒎35(b)所示。計(jì)算表明,整個(gè)LED器件有源區(qū)是熱源,所以最高溫度存在于此區(qū)域。最低溫度在于金屬基板。模擬圖中整個(gè)LED從有源層到外散熱器的熱阻為16,9K/W叫。
絕大多數(shù)LED供應(yīng)商采用軟件在物理模型建立之前就進(jìn)行元件和系統(tǒng)級(jí)仿真分析,通過對(duì)溫度場(chǎng)的分析得到熱應(yīng)力等特性,從而獲取不同工作結(jié)溫下的系統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)特征,為器件的評(píng)價(jià)和器件的設(shè)計(jì)提供參考。
正裝芯片的結(jié)構(gòu)如圖7~35(a)所示,熱量主要產(chǎn)生在有源區(qū),有源區(qū)上方p-GaN層和P透明電極層, ALC100這兩層的厚度都非常薄,大約2~3um,這兩層上面是環(huán)氧樹脂、熒光粉和塑料透鏡,如上所述只有極少一部分熱量向上傳播散出。有源層下方依次是ll-αⅨ,GaN緩沖層和藍(lán)寶石襯底層。芯片通過絕緣膠粘在金屬基板熱沉上,整個(gè)LED被放在大散熱片上(實(shí)際封裝結(jié)構(gòu)不同,這個(gè)熱沉的尺寸及材料都會(huì)有所變化),如圖7-35所示,熱沉與散熱片之間通過導(dǎo)熱膠粘結(jié)。
計(jì)算結(jié)果如圖⒎35(b)所示。計(jì)算表明,整個(gè)LED器件有源區(qū)是熱源,所以最高溫度存在于此區(qū)域。最低溫度在于金屬基板。模擬圖中整個(gè)LED從有源層到外散熱器的熱阻為16,9K/W叫。
絕大多數(shù)LED供應(yīng)商采用軟件在物理模型建立之前就進(jìn)行元件和系統(tǒng)級(jí)仿真分析,通過對(duì)溫度場(chǎng)的分析得到熱應(yīng)力等特性,從而獲取不同工作結(jié)溫下的系統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)特征,為器件的評(píng)價(jià)和器件的設(shè)計(jì)提供參考。
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