刻蝕工序
發布時間:2016/10/19 21:05:25 訪問次數:665
刻蝕工序如圖6-111所示,是指利用物理、化學方法有選擇地去除感光劑(PR)部分的膜的工序。 HD64F2166VTE33V刻蝕方式有兩個方式:Wet Etching,利用化學溶液刻蝕金屬物質(鋁,鉻,IT0,鉬)的方式;D叩Etching,利用Gas P脈ma刻蝕⒏Nx,a-⒊的方式。
圖6-111 刻蝕工序
(a)Wct Ett・hing;(b)Dry E妃hing。
脫膜工序
脫膜工序是指刻蝕工序后,去除為形成平板而留下的感光劑(PR)的工序。脫膜工序的必需條件是完全除去PR,下部膜不應有損傷,還要維持均勻的表面狀態。
檢測工序
檢測工序是指調查/評價工序、半成品,產品的質量判定良、不良的工序。
刻蝕工序如圖6-111所示,是指利用物理、化學方法有選擇地去除感光劑(PR)部分的膜的工序。 HD64F2166VTE33V刻蝕方式有兩個方式:Wet Etching,利用化學溶液刻蝕金屬物質(鋁,鉻,IT0,鉬)的方式;D叩Etching,利用Gas P脈ma刻蝕⒏Nx,a-⒊的方式。
圖6-111 刻蝕工序
(a)Wct Ett・hing;(b)Dry E妃hing。
脫膜工序
脫膜工序是指刻蝕工序后,去除為形成平板而留下的感光劑(PR)的工序。脫膜工序的必需條件是完全除去PR,下部膜不應有損傷,還要維持均勻的表面狀態。
檢測工序
檢測工序是指調查/評價工序、半成品,產品的質量判定良、不良的工序。
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相關技術資料- 11-10燈具利用系數
- 10-19刻蝕工序
- 7-27典型的MOCVD生長過程
公網安備44030402000607
