1)單層器件結(jié)構(gòu)

   如圖8-3所示,單層器件結(jié)構(gòu)在器件的正極和負(fù)極間,制作由一種或數(shù)種物質(zhì)組成。 OP27EP在聚合物EL器件和摻雜型0LED器件中較為常見。

   優(yōu)點(diǎn):制各方法簡單。               '

   缺點(diǎn):復(fù)合發(fā)光區(qū)靠近金屬電極而靠近金屬電極處缺陷多,非輻射復(fù)合概率大,而且該處的高電場容易產(chǎn)生發(fā)光淬滅;由于兩種載流子注入不平衡,載流子的復(fù)合概率比較低,因而影響器件的發(fā)光效率。

   2)單雜型器件結(jié)構(gòu)(SH)

    如圖8-4所示,單雜型器件由兩層不同功能材料圖83 單層結(jié)構(gòu)有機(jī)oLED器件構(gòu)成,根據(jù)功能性材料的不同,分為單雜A型和單雜

B型。

   主要特點(diǎn):發(fā)光層材料具有電子傳輸性,需要加入一層空穴傳輸材料去調(diào)節(jié)空穴和電子注人到發(fā)光層的速率,這層空穴傳輸材料還起著阻擋電子的作用,使注人的電子和空穴在發(fā)光層處發(fā)生復(fù)合。