載流子的復(fù)臺(tái)
發(fā)布時(shí)間:2016/10/31 20:30:58 訪問次數(shù):1311
處于平衡狀態(tài)的半導(dǎo)體,在一定溫度下,電子濃度,90和空穴濃度助一定,對(duì)于非簡(jiǎn)并情況, AD9512BCPZ-REEL7它們的乘積也是一定值:但在一些外界條件作用下,如用光子能量大于半導(dǎo)體禁帶寬度的光照或pll結(jié)加正向偏 壓或用高能粒子輻照等,半導(dǎo)體材料中一部分原處于價(jià)帶的電子被激發(fā)到導(dǎo)帶,價(jià)帶比平衡時(shí)多出了一部分空穴匆,導(dǎo)帶比平衡時(shí)多出一部分電子稱為非平衡載流子濃度,也稱為過剩載流子濃度。光照即光注入時(shí)由于電子空穴成對(duì)出現(xiàn),但刀結(jié)加正向偏壓即電注入時(shí),非平衡電子和空穴濃度與摻雜濃度和擴(kuò)散系數(shù)有關(guān),一般AP不等于Δ″。
當(dāng)撤除光照等外界作用時(shí),半導(dǎo)體由非平衡狀態(tài)恢復(fù)到平衡狀態(tài),非平衡載流子逐漸消失,這個(gè)過程就是載流子的復(fù)合。
從載流子復(fù)合的微觀過程上可以分成直接復(fù)合和間接復(fù)合兩類,直接復(fù)合是電子在導(dǎo)帶和價(jià)帶之間直接躍遷,引起電子和空穴的直接復(fù)合;間接復(fù)合是電子通過禁帶中的缺陷能級(jí),即復(fù)合中心與空穴復(fù)合。非平衡載流子復(fù)合時(shí)伴隨著能量的釋放,一般有發(fā)射光子,
發(fā)射聲子或傳遞能量給其他載流子。對(duì)于發(fā)光器件,一般按復(fù)合過程是否發(fā)射光子分為輻射復(fù)合和非輻射復(fù)合兩類。輻射復(fù)合是電子和空穴直接復(fù)合發(fā)光的過程;非輻射復(fù)合主要有深能級(jí)缺陷輔助的復(fù)合、俄歇復(fù)合。
另外,按載流子復(fù)合發(fā)生的位置,又可以分為體內(nèi)復(fù)合和表面復(fù)合。輻射復(fù)合過程中,一對(duì)電子和空穴復(fù)合伴隨一個(gè)能量等于半導(dǎo)體帶隙的光子發(fā)射出來。單位體積內(nèi),每個(gè)電子在單位時(shí)間內(nèi)都有一定概率和空穴相遇而復(fù)合,概率和空穴濃度成正比,復(fù)合率R可表系數(shù)r表示電子和空穴的復(fù)合概率,它是與溫度有關(guān)的量,刀和`分別表示電子和空穴的濃度。對(duì)于非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,空穴濃度相對(duì)價(jià)帶狀態(tài)密度,以及電子濃度相對(duì)導(dǎo)帶狀態(tài)密度其比例極小,即可認(rèn)為價(jià)帶基本是滿的,導(dǎo)帶基本是空的,激發(fā)概率不載流子濃度刀和`的影響,則載流子產(chǎn)生率G僅與溫度有關(guān),與載流子濃度無關(guān)。熱平衡狀態(tài)的電子和空穴的濃度分別為P90和f,0,載流子產(chǎn)生和復(fù)合達(dá)到平衡,所以產(chǎn)生率必定等于復(fù)合率
處于平衡狀態(tài)的半導(dǎo)體,在一定溫度下,電子濃度,90和空穴濃度助一定,對(duì)于非簡(jiǎn)并情況, AD9512BCPZ-REEL7它們的乘積也是一定值:但在一些外界條件作用下,如用光子能量大于半導(dǎo)體禁帶寬度的光照或pll結(jié)加正向偏 壓或用高能粒子輻照等,半導(dǎo)體材料中一部分原處于價(jià)帶的電子被激發(fā)到導(dǎo)帶,價(jià)帶比平衡時(shí)多出了一部分空穴匆,導(dǎo)帶比平衡時(shí)多出一部分電子稱為非平衡載流子濃度,也稱為過剩載流子濃度。光照即光注入時(shí)由于電子空穴成對(duì)出現(xiàn),但刀結(jié)加正向偏壓即電注入時(shí),非平衡電子和空穴濃度與摻雜濃度和擴(kuò)散系數(shù)有關(guān),一般AP不等于Δ″。
當(dāng)撤除光照等外界作用時(shí),半導(dǎo)體由非平衡狀態(tài)恢復(fù)到平衡狀態(tài),非平衡載流子逐漸消失,這個(gè)過程就是載流子的復(fù)合。
從載流子復(fù)合的微觀過程上可以分成直接復(fù)合和間接復(fù)合兩類,直接復(fù)合是電子在導(dǎo)帶和價(jià)帶之間直接躍遷,引起電子和空穴的直接復(fù)合;間接復(fù)合是電子通過禁帶中的缺陷能級(jí),即復(fù)合中心與空穴復(fù)合。非平衡載流子復(fù)合時(shí)伴隨著能量的釋放,一般有發(fā)射光子,
發(fā)射聲子或傳遞能量給其他載流子。對(duì)于發(fā)光器件,一般按復(fù)合過程是否發(fā)射光子分為輻射復(fù)合和非輻射復(fù)合兩類。輻射復(fù)合是電子和空穴直接復(fù)合發(fā)光的過程;非輻射復(fù)合主要有深能級(jí)缺陷輔助的復(fù)合、俄歇復(fù)合。
另外,按載流子復(fù)合發(fā)生的位置,又可以分為體內(nèi)復(fù)合和表面復(fù)合。輻射復(fù)合過程中,一對(duì)電子和空穴復(fù)合伴隨一個(gè)能量等于半導(dǎo)體帶隙的光子發(fā)射出來。單位體積內(nèi),每個(gè)電子在單位時(shí)間內(nèi)都有一定概率和空穴相遇而復(fù)合,概率和空穴濃度成正比,復(fù)合率R可表系數(shù)r表示電子和空穴的復(fù)合概率,它是與溫度有關(guān)的量,刀和`分別表示電子和空穴的濃度。對(duì)于非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,空穴濃度相對(duì)價(jià)帶狀態(tài)密度,以及電子濃度相對(duì)導(dǎo)帶狀態(tài)密度其比例極小,即可認(rèn)為價(jià)帶基本是滿的,導(dǎo)帶基本是空的,激發(fā)概率不載流子濃度刀和`的影響,則載流子產(chǎn)生率G僅與溫度有關(guān),與載流子濃度無關(guān)。熱平衡狀態(tài)的電子和空穴的濃度分別為P90和f,0,載流子產(chǎn)生和復(fù)合達(dá)到平衡,所以產(chǎn)生率必定等于復(fù)合率
熱門點(diǎn)擊
- 開啟電壓的物理意義是什么?
- 銅( Cu)的熔點(diǎn)高
- 抑制LCD交叉效應(yīng)的措施
- 載流子的復(fù)臺(tái)
- 屯路接地應(yīng)在I/O區(qū)域與底盤有一個(gè)低阻抗連接
- 熱阻對(duì)色溫的影響
- 目前半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)中最廣泛采用的實(shí)現(xiàn)白光發(fā)射
- 膜式電位器
- 化臺(tái)物半導(dǎo)體
- 物質(zhì)在磁場(chǎng)中應(yīng)該表現(xiàn)出大體相似的特性
推薦技術(shù)資料
- 全集成直接飛行時(shí)間(dToF)傳感器
- 2025年半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)未
- GW2A系列FPGA芯片應(yīng)用參數(shù)
- DDR類儲(chǔ)存器接口解決方案
- 2.5G bps MIPI D
- 新一代 Arora-V系列FPGA產(chǎn)品詳情
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究