取極大值,即處于禁帶中接近的深能級(jí)是最有效的復(fù)合中心,而遠(yuǎn)離的淺能級(jí)對(duì)復(fù)合影響小;隨溫度Γ增大,復(fù)合 AD9480BSUZ-250速率E/增大,即溫度越高sRH復(fù)合越明顯。

   在ⅡI-V半導(dǎo)體中,深能級(jí)缺陷主要來(lái)源于空位、填隙、雜質(zhì)等點(diǎn)缺陷及位錯(cuò)等線缺陷。減少深能級(jí)缺陷密度,抑制sRH復(fù)合是提高半導(dǎo)體材料和器件發(fā)光效率的一個(gè)重要途徑。俄歇復(fù)合是另一種重要的非輻射復(fù)合機(jī)制。電子一空穴對(duì)復(fù)合時(shí),躍遷產(chǎn)生的能量不是通過(guò)發(fā)射光子釋放,而是傳遞給第三個(gè)載流子,可能是電子也可是空穴,使其激發(fā)到更高的能級(jí)上,之后受激發(fā)的載流子通過(guò)發(fā)射聲子失去能量回到原來(lái)的低能級(jí)。

   帶間發(fā)生俄歇復(fù)合的情況,在導(dǎo)帶中的第二個(gè)電子吸收了直接復(fù)合所釋放出的能量變成一個(gè)高能電子,隨后高能電子與晶格發(fā)生散射發(fā)射聲子將能量和動(dòng)量轉(zhuǎn)化為熱消耗在晶格中。