隨著異質(zhì)結(jié)構(gòu)研究的深入和外延生長技術(shù)的進步,量子阱結(jié)構(gòu)被開發(fā)并應(yīng)用于半導(dǎo)體發(fā)光器件。M25P20-VMN6TPB量子阱結(jié)構(gòu)可以看作雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)中較窄禁帶中間層材料薄化的延伸和發(fā)展。用兩種禁帶寬度不同的兩種半導(dǎo)體材料A和B,構(gòu)成兩個距離很近的背靠背的異質(zhì)結(jié),ⅣB/A,若材料A的禁帶寬度大于B,且材料A和B形成~pcI型異質(zhì)結(jié),則當(dāng)材料B的厚度薄到可與電子的德布羅意波長相比,則形成以材料A為勢壘,B為勢阱的量子阱結(jié)構(gòu)。

   這種只有一個勢阱的結(jié)構(gòu)稱為單量子阱[1劍。

   如圖3-34(a)所示阝),在實際的量子阱結(jié)構(gòu)中,載流子被限制在有限深的勢阱中,在垂直于界面方向上(設(shè)為z方向)運動的能量不再是連續(xù)的,而是變成了分立的能級(電子占據(jù)能級為幾0和馬1等,空穴占據(jù)能級為E四和凡1等),而在平行界面的方向(設(shè)為光y方向)上載流子運動是自由的,能量仍是連續(xù)變化的。勢阱寬度越窄,勢壘高(Mc和Azrv)越高,能級分立間距越大。另外,載流子有效質(zhì)量越小,能級分立間距越大。由于電子的有效質(zhì)量總比空穴小,所以量子阱中電子能級分立間距大于空穴能級分立間距。