同質(zhì)結(jié)中載流子復(fù)合發(fā)射光子的能量等于此半導(dǎo)體材料的禁帶寬度,所以復(fù)M25P16-VMN6TP合產(chǎn)生的光子經(jīng)過(guò)p和n型區(qū)很大程度又被吸收。而雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)中N和P型勢(shì)壘層禁帶寬度大于發(fā)光層發(fā)射光子的能量,對(duì)光子是透明的,再吸收只存在于薄的發(fā)光區(qū),所以雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)中光的再吸收大大減小。

   相對(duì)同質(zhì)結(jié),異質(zhì)結(jié)用于發(fā)光器件是個(gè)巨大的進(jìn)步。但是也要指出,異質(zhì)結(jié)用于發(fā)光器件對(duì)材料體系有嚴(yán)格的限制,即異質(zhì)結(jié)材料必須具有良好的晶格匹配。如果異質(zhì)結(jié)中晶格失配較大,從界面產(chǎn)生較高密度的缺陷,導(dǎo)致非輻射復(fù)合增強(qiáng),器件的發(fā)光性能變差。在元素半導(dǎo)體和二元化合物半導(dǎo)體中很難找到晶格匹配的異質(zhì)結(jié)材料,半導(dǎo)體的三元和多元固溶體材料的晶格常數(shù)和組分關(guān)系一般符合Vcgard定律,即線性關(guān)系。因此,采用節(jié)固溶體組分的方法,可以設(shè)汁出晶格匹配的靈活多變的異質(zhì)構(gòu)。另外,超薄外延層生長(zhǎng)技術(shù)和應(yīng)變緩沖層技術(shù)打破了嚴(yán)格的晶格匹配要求,如量子阱這種特殊的異質(zhì)結(jié)構(gòu)己廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體光電子和微電子器件。