理想發(fā)光二極管的I-V特性可由shockley方程式表示如下:

   式中,凡為反向飽和電流,與電子與空穴的擴(kuò)散系數(shù)、擴(kuò)散長 LM2733YMFX度和熱平衡少子濃度有關(guān);/為外加偏壓,”0為正向偏壓,疼0為反向偏置;煬為玻爾茲曼常數(shù);Γ為絕對(duì)溫度。圖 ⒋11為理想發(fā)光二極管的I-V特性示意圖。由圖可見,正向偏壓下,二極管的電流隨電壓增加按指數(shù)增加;反向偏置下,二極管的電流與反向偏置電壓無關(guān)為常數(shù)。

   實(shí)際發(fā)光二極管的⒈V特性

   實(shí)際發(fā)光二極管中的注入電流不再僅僅是擴(kuò)散電流,還包括隧穿等效應(yīng)產(chǎn)生的電流,故引入一理想因子表示與理想發(fā)光二極管⒈V特性的差異。此外,實(shí)際發(fā)光二極管中還包括半導(dǎo)體材料及工藝過程產(chǎn)生的體電阻、接觸電阻等,構(gòu)成與理想p-n結(jié)的串聯(lián)電阻效應(yīng),還有部分諸如結(jié)區(qū)晶格缺陷、表面缺陷等產(chǎn)生電阻等,構(gòu)成理想p-n結(jié)的并聯(lián)電阻效應(yīng)。