MOCVD設(shè)備
發(fā)布時間:2016/11/5 19:08:38 訪問次數(shù):2539
MOCVD設(shè)備是外延材料生長與芯片生產(chǎn)最為關(guān)鍵的設(shè)備,不僅決定LED產(chǎn)品的性能,而且也決定LED產(chǎn)品的性能。JANTX1N829-1一般而言,整體MOCⅤD設(shè)各及外延生長相關(guān)成本占LED生產(chǎn)成本的60%。作為LED芯片生產(chǎn)中的關(guān)鍵設(shè)備,MOCVD的核心技術(shù)一直被歐美企業(yè)所壟斷。德國AIXTRON公司和美國VEECo公司幾乎生產(chǎn)了全球90%以上的主流MOCVD設(shè)備。日本廠家制造的MOCVD設(shè)備基本限于日本國內(nèi)使用,日亞公司的設(shè)各主要用于自己的研發(fā)和生產(chǎn)。國際上MOCVD技術(shù)己經(jīng)非常成熟,主流設(shè)備從6片機(⒛∞年)、12片機(⒛“年)、15片機(⒛05年),目前己達到緄、45、翎片機(一次可裝載⒆片2英寸的襯底進行外延生長),F(xiàn)階段,4英寸MOCⅤD設(shè)備已經(jīng)開始逐漸取代2英寸襯底的外延生長設(shè)備。
由于MOCVD系統(tǒng)最重要的問題是保證外延材料生長的均勻性和重復(fù)性,因此不同廠家的MOCVD系統(tǒng)最主要的區(qū)別在于反應(yīng)室的結(jié)構(gòu),如圖5-15所示。德國AIXTRON公司采用行星式反應(yīng)室(Planctaγ Rcactor),美國VEECo采用Turbo nsc反應(yīng)室,英國ThomasSwan公司(該公司于⒛0~s年被AIXTRON公司收購)采用Closcd Couplcd Showcrhcad(CCS)反應(yīng)室。德國AIXTRON的行星式反應(yīng)室中,前驅(qū)體氣源從爐蓋中心的噴氣口進入反應(yīng)室腔內(nèi),通過特有的設(shè)計使得氣流方向變?yōu)樗搅鞒?這一設(shè)計有效地避免了反應(yīng)室內(nèi)的側(cè)壁效應(yīng),一股中間氣流為Ⅲ族源,上下兩路氣流為V族源。襯底放在小的石墨基盤上,通入一定流量的氣體推動小盤各自自行旋轉(zhuǎn),同時小盤也隨著大石墨基盤公轉(zhuǎn),從而形成行星式旋轉(zhuǎn)。通過調(diào)節(jié)小盤的氣體流量,改變自轉(zhuǎn)的速度,從而獲得均勻的生長速率。各個小石墨基盤的行星式旋轉(zhuǎn)使其上放置的襯底表面與氣流充分的均勻接觸,保證了各個外延片生長的均勻性和重復(fù)性。
MOCVD設(shè)備是外延材料生長與芯片生產(chǎn)最為關(guān)鍵的設(shè)備,不僅決定LED產(chǎn)品的性能,而且也決定LED產(chǎn)品的性能。JANTX1N829-1一般而言,整體MOCⅤD設(shè)各及外延生長相關(guān)成本占LED生產(chǎn)成本的60%。作為LED芯片生產(chǎn)中的關(guān)鍵設(shè)備,MOCVD的核心技術(shù)一直被歐美企業(yè)所壟斷。德國AIXTRON公司和美國VEECo公司幾乎生產(chǎn)了全球90%以上的主流MOCVD設(shè)備。日本廠家制造的MOCVD設(shè)備基本限于日本國內(nèi)使用,日亞公司的設(shè)各主要用于自己的研發(fā)和生產(chǎn)。國際上MOCVD技術(shù)己經(jīng)非常成熟,主流設(shè)備從6片機(⒛∞年)、12片機(⒛“年)、15片機(⒛05年),目前己達到緄、45、翎片機(一次可裝載⒆片2英寸的襯底進行外延生長),F(xiàn)階段,4英寸MOCⅤD設(shè)備已經(jīng)開始逐漸取代2英寸襯底的外延生長設(shè)備。
由于MOCVD系統(tǒng)最重要的問題是保證外延材料生長的均勻性和重復(fù)性,因此不同廠家的MOCVD系統(tǒng)最主要的區(qū)別在于反應(yīng)室的結(jié)構(gòu),如圖5-15所示。德國AIXTRON公司采用行星式反應(yīng)室(Planctaγ Rcactor),美國VEECo采用Turbo nsc反應(yīng)室,英國ThomasSwan公司(該公司于⒛0~s年被AIXTRON公司收購)采用Closcd Couplcd Showcrhcad(CCS)反應(yīng)室。德國AIXTRON的行星式反應(yīng)室中,前驅(qū)體氣源從爐蓋中心的噴氣口進入反應(yīng)室腔內(nèi),通過特有的設(shè)計使得氣流方向變?yōu)樗搅鞒?這一設(shè)計有效地避免了反應(yīng)室內(nèi)的側(cè)壁效應(yīng),一股中間氣流為Ⅲ族源,上下兩路氣流為V族源。襯底放在小的石墨基盤上,通入一定流量的氣體推動小盤各自自行旋轉(zhuǎn),同時小盤也隨著大石墨基盤公轉(zhuǎn),從而形成行星式旋轉(zhuǎn)。通過調(diào)節(jié)小盤的氣體流量,改變自轉(zhuǎn)的速度,從而獲得均勻的生長速率。各個小石墨基盤的行星式旋轉(zhuǎn)使其上放置的襯底表面與氣流充分的均勻接觸,保證了各個外延片生長的均勻性和重復(fù)性。
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