在超音頻(10~100kHz)范圍內,由于晶閘管本身開關特性等參數的限制,給研IFR3000PNZKAI制該頻段的電源帶來了很大的技術難度。而在歐美,由于SIT存在高通態(tài)損耗(⒊T工作于非飽和區(qū))等缺陷,其高頻功率器件以MOSFET為主。隨著MOSFET功率器件的模塊化、大容量化,MOsFET高頻感應加熱電源的容量得到了飛速發(fā)展。西班牙采用MOSFET的電流型感應加熱電源制造水平達ω0kW、硐0kHz;德國在1989年研制的電流型MOSFET感應加熱電源水平達480kW、50~⒛0kHz;比利時Inducto Eiphac公司生產的電流型MOSFET感應加熱電源水平可達1000kW、15~ω0kHz。浙江大學在⒛世紀⒇年代研制出⒛kW、3OOkHz MOSFET高頻電源,已被成功應用于小型刀具的表面熱處理和飛機渦輪葉片的熱應力考核。

    中頻電源的逆變器主要有并聯(lián)逆變器和串聯(lián)逆變器,串聯(lián)逆變器輸出可等效為一低阻抗的電壓源,當兩電壓源并聯(lián)時,相互間的幅值、相位和頻率不同或波動時將導致很大的環(huán)流,以至逆變器件的電流產生嚴重不均,因此,串聯(lián)逆變器存在并機擴容困難的問題。而并聯(lián)逆變器輸入端的直流大電抗器可充當各并聯(lián)逆變器之間的電流緩沖環(huán)節(jié),使得輸人端的AG/DG或D00G環(huán)節(jié)有足夠的時間來糾正直流電流的偏差,達到多機并聯(lián)擴容的目的。晶體管化超音頻、高頻電流多采用并聯(lián)逆變器結構,并聯(lián)逆變器易于模塊化、大容量化是其中的一個主要原因。