有很多混合和集成電路設(shè)計集成電路是基于一個少數(shù)晶體管結(jié)構(gòu)[主要是雙極性或金屬氧化物硅結(jié)構(gòu)( MOS)，見第16章]和制造工藝。類似于汽車工業(yè)，這個工業(yè)生產(chǎn)的產(chǎn)品范圍很 G30N60B3D廣，從轎車到推土機(jī)。然而，金屬成型、焊接、油漆等[藝對汽牟廠都是通用的．在汽車廠內(nèi)部，這砦基本的工藝以不同的方式被應(yīng)用，以制造出客戶希望的產(chǎn)品

   同樣。卷片制造也是同樣的  依次進(jìn)行4個基本操作，以產(chǎn)乍特定的芯片．這螳操作是薄膜、圖形化、摻雜和熱處理圖4.4是一個硅柵晶體管(MOS)的橫截面它說明r如何使用這砦基本的操作并依次制造·個實(shí)際的半導(dǎo)體器件？

   薄膜：藝( layering)是在晶圓表面形成薄膜的加的簡單MOS晶體管町以看出在晶圓表面生成r許多薄膜．這些薄膜可以是絕緣體、半導(dǎo)體或?qū)w它們由不同的材料，并使用多種r藝牛長或淀積而成，各種技術(shù)用于二氧化硅層生長和各種材料的淀積.j通用的淀積技術(shù)是物理氣相淀積( PVD)、化學(xué)氣相淀積(CVD)、蒸發(fā)和濺射、分子束、外延生長、分子柬外延和原子層淀積( AI．D)  使用電鍍在高密度集成電路上淀積金屬化層，列出r常見的薄膜材料和薄膜1-藝。其中每項的具體情況在本書的工藝章節(jié)各有闡述ij各種薄膜在器件結(jié)構(gòu).