在這一章中，我們將G3VM-61GR1解釋污染對(duì)器件工藝、器件性能和器件可靠性的影響，以及芯片生產(chǎn)區(qū)域存在的污染類型和主要的污染源。同時(shí)，也將對(duì)凈化間規(guī)劃、主要的污染控制方法和晶片表面的清洗工藝進(jìn)行討論。

   污染（1一是可能將芯片生產(chǎn)工業(yè)扼殺于搖籃中的首要問(wèn)題之一。半導(dǎo)體工業(yè)起步于由空間技術(shù)發(fā)展而來(lái)的凈化間技術(shù)。然而，事實(shí)證明，對(duì)于大規(guī)模集成電路的生產(chǎn)，這些技術(shù)水平是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的，凈化間不得不與芯片設(shè)計(jì)和密度進(jìn)步保持同步。產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)的能力依賴于每一代芯片提出的污染問(wèn)題的解決。昨天的小問(wèn)題可能變成明天芯片的致命缺陷。

   半導(dǎo)體器件極易受到多種污染物的損害。這些污染物可歸納為以下4類。分別是：

   1．微粒

   2．金屬離子

   3．化學(xué)物質(zhì)

   4．細(xì)菌

   5．空氣中分子污染( AMC)

   微粒：半導(dǎo)體器件，尤其是高密度的集成電路，易受到各種污染的損害。器件對(duì)于污染的敏感度取決于較小的特征圖形的尺寸和晶片表面沉積層的厚度。目前的量度尺寸已經(jīng)降到亞微米級(jí)。1¨m是非常小的。1c:m等于10 000I.Lm。人的頭發(fā)的直徑為100 ht,m。這種非常小的器件尺寸導(dǎo)致器件極易受到由人員、設(shè)備和工藝操作中使用的他學(xué)品所產(chǎn)生的，存在于空氣中的顆粒污染的損害。由于特征圖形尺寸越來(lái)越小，膜層越來(lái)越薄，所允許存在的微粒尺寸也必須被控制在更小的尺度上。國(guó)內(nèi)也習(xí)慣稱為“沾污”——譯者注。