對(duì)生長(zhǎng)速率有影響的其他因素
發(fā)布時(shí)間:2017/5/9 21:48:47 訪問(wèn)次數(shù):1011
對(duì)生長(zhǎng)速率有影響的其他因素
氣相質(zhì)量傳遞過(guò)程的快慢還和外延反應(yīng)器結(jié)構(gòu)類型、氣體流速(流量)等因素有關(guān);而表LD1117SC-R面外延過(guò)程還和硅襯底晶向有關(guān),硅襯底晶向?qū)ν庋由L(zhǎng)速率也有一定的影響。因此,影響外延生長(zhǎng)速率的因素除了外延溫度、硅源種類和反應(yīng)劑濃度之外,主要還有外延反應(yīng)器結(jié)構(gòu)類型、氣體流速、襯底晶向等。
襯底晶向?qū)ν庋由L(zhǎng)速率的影響是因?yàn)椴煌婀璧墓矁r(jià)鍵密度不同,成鍵能力就存在差別。例如,(111)晶面是雙層密排面,兩層雙層密排面之間共價(jià)鍵密度低,成鍵能力差,外延層生長(zhǎng)速率就慢,而(110)晶面之間的共價(jià)鍵密度大,成鍵能力強(qiáng),外延層生長(zhǎng)速率就相對(duì)較快。
對(duì)生長(zhǎng)速率有影響的其他因素
氣相質(zhì)量傳遞過(guò)程的快慢還和外延反應(yīng)器結(jié)構(gòu)類型、氣體流速(流量)等因素有關(guān);而表LD1117SC-R面外延過(guò)程還和硅襯底晶向有關(guān),硅襯底晶向?qū)ν庋由L(zhǎng)速率也有一定的影響。因此,影響外延生長(zhǎng)速率的因素除了外延溫度、硅源種類和反應(yīng)劑濃度之外,主要還有外延反應(yīng)器結(jié)構(gòu)類型、氣體流速、襯底晶向等。
襯底晶向?qū)ν庋由L(zhǎng)速率的影響是因?yàn)椴煌婀璧墓矁r(jià)鍵密度不同,成鍵能力就存在差別。例如,(111)晶面是雙層密排面,兩層雙層密排面之間共價(jià)鍵密度低,成鍵能力差,外延層生長(zhǎng)速率就慢,而(110)晶面之間的共價(jià)鍵密度大,成鍵能力強(qiáng),外延層生長(zhǎng)速率就相對(duì)較快。
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