集成電路對(duì)熱生長(zhǎng)⒊C)纟層質(zhì)量的要求很高,主要是控制⒏02的針孔、SiO2層中的可動(dòng)電荷、界面上及⒏O2層中的固定電荷和陷阱、Si`/SiO2界面態(tài)密度等。 S912XET256J2MAL氧化膜缺陷包括表面缺陷、結(jié)構(gòu)缺陷及氧化層中的電荷=個(gè)方面。

   表面缺陷

   二氧化硅薄膜的表面缺陷有斑點(diǎn)、裂紋、白霧、針孔等,可用日檢或用顯微鏡進(jìn)行檢驗(yàn)。針孔通常有兩種:一種是完全穿通的孔,稱為“通孔”;另一種孔并不完全穿通,而是局部區(qū)域的氧化層較薄,加以一定的電壓后會(huì)產(chǎn)生擊穿,稱為“盲孔”。高溫氧化時(shí)出現(xiàn)針孔主要是由于硅片表面拋光不夠好(機(jī)械損傷嚴(yán)重),硅片有嚴(yán)重的位錯(cuò)(因位錯(cuò)處往往集中著Cu、R等快擴(kuò)散雜質(zhì),故不能很好地生長(zhǎng)so層),硅片表面有沾污(如塵埃,或者沾污的碳在高溫下形成的sC顆粒),或硅片表面有合金點(diǎn)等。為了消除氧化針孔,首先應(yīng)保證硅片的質(zhì)量。表面應(yīng)平整、光亮,并要加強(qiáng)清潔處理。針孔對(duì)器件性能的危害很大,但叉不易直接被察覺,因此有必要采用一些方法來(lái)檢驗(yàn)它。常用于檢驗(yàn)針孔的方法主要有化學(xué)腐蝕法和電解鍍銅法。