CDV是制備薄膜的一種常規(guī)方法,當(dāng)前,在微電子I藝中已經(jīng)采用和發(fā)展了多種C、⑩工藝技術(shù)。實(shí)際上CVD工藝與第3章外延工藝中介紹的氣相外延工藝相似,OMAPL137BZKBA3有些具體方法及I藝設(shè)各可以通用。外延生長獲得的是單晶薄膜,通常襯底也必須是單晶材料.要求有嚴(yán)格的工藝條件;而淀積薄膜得到的是非晶態(tài)或者多晶態(tài)薄膜,襯底不要求一定是單晶材料,只要襯底具有一定的平整度,能夠經(jīng)受淀積工藝溫度(淀積工藝溫度遠(yuǎn)低于外延工藝溫度),其他工藝條件的控制也沒有氣相外延要求的那么精確。另外,o冫0I藝制備的薄膜和熱氧化工藝制備的二氧化硅薄膜也有很大不同。通過CDV藝制各薄膜時(shí),所有的薄膜成分都是由外部以氣相方式帶人反應(yīng)器中,而不像熱氧化工藝制備的二氧化硅薄膜中的硅成分來自襯底本身。

    CDV的多種工藝方法可以按照工藝特點(diǎn)、工藝溫度、反應(yīng)室內(nèi)部壓力、反應(yīng)室器壁的溫度和淀積薄膜化學(xué)反應(yīng)的激活方式等進(jìn)行分類。通常是按照工藝特點(diǎn)進(jìn)行分類,主要有常壓化學(xué)氣相淀積(APCⅥ⑵、低壓化學(xué)氣相淀積(LPC、0)、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積(PEC、⑩)、金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積(MOCˇ0)、激光誘導(dǎo)化學(xué)氣相淀積CDV和微波化學(xué)氣相淀積(WlWCVD)等。APCˇD的設(shè)各與前面提到的常壓外延的設(shè)各相似,工藝方法接近,在介質(zhì)薄膜制各中采用的不多。介質(zhì)薄膜和多晶硅薄膜多采用常規(guī)的LPC、0和PECVD方法制各。而MOCVD、LC、0、NlWC、0在傳統(tǒng)的微電子工藝中應(yīng)用不多,都是近年被采用并發(fā)展起來的C`0工藝技術(shù)。