學(xué) 淀積磷硅玻璃的反應(yīng)氣體中再摻入硼源，可以形成B:03元氧化物薄膜系統(tǒng),即CVDPSG。BPSG較PSG有更低的軟化溫度。BPSG的流動性取決于薄膜的組分、退火工K4B1G1646E-HCK0藝溫度、時問,以及環(huán)境氣氛。BPSG薄膜的回流平坦化退火溫度一般在850℃,最低可達750℃。實驗表明,在BPSG中,當(dāng)磷的濃度達到5wt%之后,即使再增加磷的濃度也不會降低BPSG的回流溫度了。而硼的濃度增大1%,所需回流溫度降低大約40℃。當(dāng)硼的含量超過5wt%時,將發(fā)生結(jié)晶,形成硼酸根B2O3及磷酸根P20;的晶粒沉淀,薄膜的吸潮性增強,并且變得非常不穩(wěn)定,甚至導(dǎo)致在回流過程中生成難溶性的BP04,成為玻璃體中的缺陷。因此,BPSG中硼的濃度也不應(yīng)超過5wt%。在CˇD si()2中除了故意摻入的雜質(zhì)之外,以PECVD方法淀積的氧化硅中通常還含有一定濃度的氫,甚至?xí)械?氧與硅的劑量不是嚴格的化學(xué)計量比。H和N在氧化硅中都不是網(wǎng)絡(luò)形成雜質(zhì)。H在⒏―O四面體網(wǎng)絡(luò)中以形式存在,而N則以N―0等形式存在,這都將導(dǎo)致氧化硅密度下降、薄膜質(zhì)地疏松和穩(wěn)定性降低�？梢酝ㄟ^高溫退火來排除氫,使薄膜致密化,但是氮較難去除。

   另外,即使是相同種類、同種淀積方法,淀積溫度也相近,但所采用的反應(yīng)劑不同時,淀積的二氧化硅薄膜的特性也有所不同,如在7.2.3節(jié)中介紹的反應(yīng)劑到達襯底后的再發(fā)射特性和表面遷移特性直接關(guān)系到薄膜臺階覆蓋能力。而反應(yīng)劑,特別是其中的硅源,不同硅源與襯底表面的黏滯系數(shù)相差很大,黏滯系數(shù)越小其再發(fā)射和表面遷移能力就越強,薄膜的臺階覆蓋能力也就越強。這在實際I藝及應(yīng)用中也必須考慮。