對CVD一AL的研究從20世紀80年代初就開始了,但仍處于實驗室研究階段。日前,CⅥ》Al也有覆蓋淀積和選擇淀積兩種制各方法。

   早期的CVD-Al主要是覆蓋淀積,這種A1膜有極好的保形覆蓋特性、電阻率低, ADG508AKRZ-REEL7與襯底硅和氧化層的附著性良好。但是,這種覆蓋式A1膜的表面較為粗糙,會給光刻工藝帶來問題。常用的鋁源主要為TMA[分子式為A1(CH3)6彐,在低于300℃時就能熱分解淀積。之后不久,開發(fā)出了選擇淀積A1膜,鋁源采用的是金屬有機化合物TIBA(分子式為EAl(C4H9)3])。TIBA在250°C熱分解,只在襯底表面是硅或金屬的地方成核、 生長、形成A1膜,可以很好地填充0,4um大小的接觸,但是,TIBA蒸氣壓較低,淀積速率較慢。

    wF6在選擇淀積中會與硅發(fā)生反應淀積W,而TIBA則不會,因此可保證硅表面免受損傷。而且,如果薄膜是在比較好的成核層上進行淀積,表面粗糙的問題也會明顯地得到改善。

   目前,還有兩種鋁有機化合物源也被看好,分別是DMAHE分子式為A1H(CH3)2彐和DMEAA分子式為(CH3)2C・H5N(川H3)彐,二者都可以在低于200℃時淀積鋁膜。盡管使用有機化合物金屬源具有淀積溫度低等優(yōu)點,但是,都存在安全問題。所有鋁有機化合物源都是有毒物質(zhì),且易燃,接觸到水會發(fā)生爆炸。因此,在使用和儲存過程中必須低溫密封,操作方法合理。而且,它們是極易反應的化合物,當室溫放置等待注入反應器時,必須采取措施保證其穩(wěn)定。

   本章小結(jié)

   本章在對CVD過程進行分析的基礎上介紹了CVD工藝的原理及淀積薄膜質(zhì)量的控制方法。詳細介紹了常用的3種CVD工藝方法:APCVD、LPC、①和PECVD,簡述了CˇD工藝的發(fā)展趨勢。對常采用CVD工藝制備的二氧化硅、氮化硅、多晶硅、金屬及化合物薄膜的性質(zhì)、用途和CVD制備方法做了介紹。