物理氣相淀積是指利用物理過程實現物質轉移,將原子或分子由(靶)源氣相轉移到襯底表面形成薄膜的過程。 BCM5325MA3KQM忽略氣相過程時又稱物理淀積。

   PVD相對于CVD而言工藝溫度低,襯底溫度可以從室溫至幾百攝氏度范圍;工藝原理簡單,能用于制備各種薄膜。但是,所制各薄膜的臺階覆蓋特性、附著性、致密性不如C、0薄膜。P、0工藝主要用于芯片制作后期的金屬類薄膜的制備,如芯片的金屬接觸電極,互連系統(tǒng)中的金屬布線、附著層和阻擋層合金及金屬硅化物,以及其他用C、0I藝難以淀積的薄膜等。

   在集成電路制造技術中常用的Pˇ0方法主要有兩種:蒸鍍(叉稱真空蒸鍍)和濺射。真空蒸鍍是指在高真空環(huán)境加熱源材料使之氣化,源氣相轉移到達襯底,在襯底表面凝結形成薄膜的工藝方法。真空蒸鍍又可以按照對材料源的不同加熱方法劃分為電阻蒸鍍、電子束蒸鍍、激光蒸鍍等;按照對襯底是否加熱劃分為冷蒸、熱蒸。濺射是在一定的真空環(huán)境下電離氣體,使之形成等離子體,帶正電的氣體離子轟擊靶陰極.逸濺出的靶原子等粒子氣相轉移到達襯底表面形成薄膜的工藝方法。濺射通常按照激發(fā)氣體等離子化的電(磁)場劃分為直流濺射、射頻濺射、磁控濺射等。如圖81所示是兩種PVD方法示意圖。