真空蒸鍍是最早用于金屬薄膜制各工藝的PVD方法,曾長期作為微電子分立器件內(nèi)電極和集成電路互連布線的金屬薄膜的制備工藝。 BCM5345KPB它具有設(shè)備簡單、易于操作、所制各薄膜純度高、成膜速快、生長機(jī)理簡單等優(yōu)點。但是,也存在薄膜的附著性、工藝重復(fù)性、臺階覆蓋性不夠理想等缺點。隨著集成電路單元尺寸的縮小,對作為互連布線的金屬薄膜的臺階覆蓋能力和附著能力等要求也在不斷提高,因而,在大多數(shù)微電子△藝中,真空蒸鍍工藝已逐漸被相對而言有較好臺階覆蓋能力和附著能力的濺射工藝或CVˉID工藝所取代。

   而蒸鍍薄膜臺階覆蓋能力差的特點,又是它在光刻剝離技術(shù)中被普遍采用的關(guān)鍵。光刻剝離技術(shù)是在淀積薄膜之前,先在襯底上進(jìn)行光刻,制備出光刻膠(或其他作為犧牲層材料)的圖形,然后,用蒸鍍方法將金屬等薄膜淀積在已有圖形的光刻膠層表面上,光刻膠圖形的臺階較高時,蒸鍍金屬會在臺階側(cè)壁底角處斷裂,用光刻膠剝離液去膠時,只要由裂紋浸入的剝離液將光刻膠溶解,膠膜頂面上的金屬層也就被剝離掉了,從而直接獲得有圖形的薄膜。光刻剝離的薄膜一般是難以通過光刻腐蝕形成圖形的難熔金屬或多層金屬薄膜,麗采用蒸鍍工藝的光刻剝離技術(shù)就解決了這個問題。隨著蒸鍍設(shè)備和I藝技術(shù)的發(fā)展進(jìn)步,目前,常用的電子束蒸鍍方法在微電子生產(chǎn)及科研方面的薄膜制備中仍有廣泛應(yīng)用。