濺射是當(dāng)前集成電路制造技術(shù)中制備金屬、合金和金屬硅化物薄膜時(shí)常采用的Pvd方法,這種方法幾乎可以制備任何固態(tài)物質(zhì)的薄膜。 BCM5673A1KPB與蒸鍍相比,濺射薄膜具有附著性好,臺(tái)階覆蓋能力較強(qiáng),在淀積多元化合金薄膜時(shí),化學(xué)成分更容易控制等優(yōu)點(diǎn);但也存在薄淀積速率較低,襯底溫度較高,設(shè)各更復(fù)雜,造價(jià)較高等缺點(diǎn)。隨著濺射設(shè)備、高純靶材、高純氣體和I藝技術(shù)的發(fā)展進(jìn)步,濺射薄膜的質(zhì)量也得到了很大的改善,其中,以當(dāng)前常用的磁控濺射方法制各薄膜的淀積速率和薄膜質(zhì)量也獲得了很大提高。

   在微電子芯片中金屬薄膜的最重要用途是作為分立器件和集成電路金屬化系統(tǒng)的導(dǎo)電層,因此,導(dǎo)電性能優(yōu)良是其首要條件。在綜合了電學(xué)性能、工藝性能等多方面情況下,長期以來鋁金屬化系統(tǒng)成為首選,而鋁金屬化系統(tǒng)中的鋁及鋁合金薄膜主要是采用Pl/D工藝制備。隨著微電子科技的進(jìn)步,超大規(guī)模集成電路的多層互連系統(tǒng)對(duì)金屬互連布線的導(dǎo)電性、抗電遷移能力的要求越來越高,金屬銅作為互連布線的優(yōu)勢(shì)顯現(xiàn)出來,目前在超大規(guī)模集成電路中,銅多層互連系統(tǒng)已逐漸取代鋁多層互連系統(tǒng),而銅多層互連系統(tǒng)中的銅及其阻擋層、附著層等化合物薄膜主要也是采用PˇD工藝制各。

   另外,在集成電路中使用的其他金屬、合金及化合物薄膜也多采用PⅥ)I藝制備。