微電子芯片制造的多個(gè)單項(xiàng)工藝是在真空系統(tǒng)中進(jìn)行的,如PⅥ)中的真空蒸鍍就要求在高真空系統(tǒng)中進(jìn)行薄膜淀積,濺射也要求在有一定真空度的系統(tǒng)中完成,而前述的MBE更是在超高真空度下進(jìn)行的外延層生長。 BCM5701KHB因此,集成電路制造技術(shù)中獲得和保持一定的真空度非常重要,如真空蒸鍍工藝,蒸鍍系統(tǒng)的真空度是保證所制備薄膜性能和質(zhì)量的必備條件。

   真空系統(tǒng)簡介

   真空室的真空度是指室內(nèi)氣體壓力,它通過真空泵抽吸室內(nèi)氣體獲得。而需要在一定真空度條件下進(jìn)行的工藝過程,通常一面用真空泵抽吸真空室內(nèi)氣體,另一面叉需要向室內(nèi)通入工藝氣體,二者平衡,真空室就維持在某一真空度上。

   氣體具有可壓縮性,氣體的量通常用壓力與體積的乘積(P×V)表示――單位時(shí)間內(nèi)流過管道某一截面的氣體的量稱為氣體流量Q,其量綱是壓力×體積/時(shí)間,當(dāng)不考慮氣體種類、成分(如為空氣)時(shí),氣體流量通常用標(biāo)準(zhǔn)體積來衡量,也就是相同氣體在0℃和1荻m下所占據(jù)的體積。例如,1標(biāo)準(zhǔn)升就是在273K、1atm下占據(jù)l升空間的那么多氣體。由于1摩爾(nd)氣體在標(biāo)準(zhǔn)條件下是22,4升(D,則l標(biāo)準(zhǔn)升是1/22.4mol。1標(biāo)準(zhǔn)升每分鐘的流量Q是指1大氣壓・升每分鐘(記為dm);流量單位還常用1大氣壓・立方厘米(即毫升)每分鐘(記為sccm)。

   如圖⒏2所示是一個(gè)簡單真空系統(tǒng)的示意圖。入口氣體的流量為Q,假定工藝氣體以均勻壓力P1流過真空室,用導(dǎo)率為C的導(dǎo)管將其和真空泵相連,為控制真空室的氣壓安裝截流閥,而泵的人口壓力為P2。