襯底晶向?qū)ρ趸俾实挠绊?/h1>
發(fā)布時(shí)間:2017/5/11 22:40:23 訪問次數(shù):4027
不同晶向的襯底單晶硅由于表面懸掛鍵密度不同,生長(zhǎng)速率也呈現(xiàn)各向異性。 KRC102S-RTK熱氧化是氧化劑與硅的氧化反應(yīng),襯底硅的性質(zhì)對(duì)氧化速率也有影響。單晶硅各向異性。不同晶向的襯底,氧化速率略有不同。氧化速率與晶向的關(guān)系可用有效表面鍵密度來(lái)解釋,主要是因?yàn)樵谘趸瘎〾毫σ欢ǖ那?/span>況下,s/s02界面反應(yīng)速率常數(shù)取決于⒊表面的原子密度和氧化反應(yīng)的活化能,對(duì)化學(xué)反應(yīng)速率常數(shù)慮、有直接影響,所以線性速率常數(shù)B/A強(qiáng)烈依賴于晶向,而拋物型速率常數(shù)B則 溫度的關(guān)系(l torr=133,3Pa) 與晶向無(wú)關(guān)。圖415所示為硅不同晶向的氧化速率。
結(jié)果表明,在適當(dāng)溫度下,[111彐晶向硅的B/A值為匚100彐晶向硅的B∷A值的1,68倍,E110彐晶向硅的B/A值為E100彐晶向的1.45倍,這與在匚11l彐面上的硅原了密度比「100彐面上的硅原子密度大有一定關(guān)系,但是氧化速率并不是簡(jiǎn)單地與硅表面的⒏―⒏鍵密度成正比,即不是簡(jiǎn)單地與硅表面原子密度成正比。表43所示是水汽壓力為85kPa時(shí)的硅的氧化速率常數(shù),從中我們得到不同溫度下的
A、B、B/A值.以及[111彐晶向硅的B/A值與E1∞]晶向硅的B/A值之比。為了解釋線性速率常數(shù)與硅表面晶向的關(guān)系,有人提出了ˉ個(gè)模型。根據(jù)這個(gè)模型,在二氧化硅中的水分子和⒏/SiO2界面的s―⒊鍵之間能直接發(fā)生反應(yīng)。在這個(gè)界面上的所有的硅原子,一部
分和上面的氧原子橋聯(lián),一部分和下面的硅原子橋聯(lián),這樣氧化速率與晶向的關(guān)系就變成了氧化速率與氧化激活能和反應(yīng)格點(diǎn)的濃度的關(guān)系了。在s悶Q界面上,任何一個(gè)時(shí)刻,并不是處于不同位置的
所有硅原子對(duì)氧化反應(yīng)來(lái)說(shuō)都是等效的,也就是說(shuō)不是所有硅原子與水分子都能發(fā)生反應(yīng)生成so。
不同晶向的襯底單晶硅由于表面懸掛鍵密度不同,生長(zhǎng)速率也呈現(xiàn)各向異性。 KRC102S-RTK熱氧化是氧化劑與硅的氧化反應(yīng),襯底硅的性質(zhì)對(duì)氧化速率也有影響。單晶硅各向異性。不同晶向的襯底,氧化速率略有不同。氧化速率與晶向的關(guān)系可用有效表面鍵密度來(lái)解釋,主要是因?yàn)樵谘趸瘎〾毫σ欢ǖ那?/span>況下,s/s02界面反應(yīng)速率常數(shù)取決于⒊表面的原子密度和氧化反應(yīng)的活化能,對(duì)化學(xué)反應(yīng)速率常數(shù)慮、有直接影響,所以線性速率常數(shù)B/A強(qiáng)烈依賴于晶向,而拋物型速率常數(shù)B則 溫度的關(guān)系(l torr=133,3Pa) 與晶向無(wú)關(guān)。圖415所示為硅不同晶向的氧化速率。
結(jié)果表明,在適當(dāng)溫度下,[111彐晶向硅的B/A值為匚100彐晶向硅的B∷A值的1,68倍,E110彐晶向硅的B/A值為E100彐晶向的1.45倍,這與在匚11l彐面上的硅原了密度比「100彐面上的硅原子密度大有一定關(guān)系,但是氧化速率并不是簡(jiǎn)單地與硅表面的⒏―⒏鍵密度成正比,即不是簡(jiǎn)單地與硅表面原子密度成正比。表43所示是水汽壓力為85kPa時(shí)的硅的氧化速率常數(shù),從中我們得到不同溫度下的
A、B、B/A值.以及[111彐晶向硅的B/A值與E1∞]晶向硅的B/A值之比。為了解釋線性速率常數(shù)與硅表面晶向的關(guān)系,有人提出了ˉ個(gè)模型。根據(jù)這個(gè)模型,在二氧化硅中的水分子和⒏/SiO2界面的s―⒊鍵之間能直接發(fā)生反應(yīng)。在這個(gè)界面上的所有的硅原子,一部
分和上面的氧原子橋聯(lián),一部分和下面的硅原子橋聯(lián),這樣氧化速率與晶向的關(guān)系就變成了氧化速率與氧化激活能和反應(yīng)格點(diǎn)的濃度的關(guān)系了。在s悶Q界面上,任何一個(gè)時(shí)刻,并不是處于不同位置的
所有硅原子對(duì)氧化反應(yīng)來(lái)說(shuō)都是等效的,也就是說(shuō)不是所有硅原子與水分子都能發(fā)生反應(yīng)生成so。
熱門點(diǎn)擊
- 直拉法生長(zhǎng)單晶硅的主要工藝流程
- 氧化增強(qiáng)擴(kuò)散
- 影響氧化速率的各種因素
- 襯底晶向?qū)ρ趸俾实挠绊?/a>
- 外延工藝種類
- 外延設(shè)備
- 硅中點(diǎn)缺陷對(duì)雜質(zhì)擴(kuò)散的影響
- 干涉條紋法
- 高壓氧化
- 不同生長(zhǎng)方法可得到的單晶硅最小載流子濃度
推薦技術(shù)資料
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