外延工藝種類(lèi)繁多,可以M24C16-MN6T按照工藝方法、外延層/襯底材料、工藝溫度、外延層/襯底電阻率、外延層結(jié)構(gòu)、外延層導(dǎo)電類(lèi)型、外延層厚度等進(jìn)行分類(lèi)。

  1按工藝方法分類(lèi)

   外延工藝主要有氣相外延、液相外延、固相外延和分子束外延。其中氣相外延最為成熟,易于控制外延層厚度、雜質(zhì)濃度和晶格的完整性,在硅外延工藝中一直占據(jù)著主導(dǎo)地位。而分子束外延出現(xiàn)得較晚,技術(shù)先進(jìn),生長(zhǎng)的外延層質(zhì)量好,但是生產(chǎn)效率低、費(fèi)用高,只有在生長(zhǎng)的外延層薄、層數(shù)多或結(jié)構(gòu)復(fù)雜時(shí)才被采用。

   2按外延層/襯底材料分類(lèi)

   按照外延層/襯底材料的異同可以將外延工藝劃分為同質(zhì)外延和異質(zhì)外延。同質(zhì)外延叉稱(chēng)為均勻外延,是外延層與襯底材料相同的外延。緒論中介紹的vn型晶體管就是在同質(zhì)外延硅片上制作的。異質(zhì)外延也稱(chēng)為非均勻外延,外延層與襯底材料不相同,甚至物理結(jié)構(gòu)也與襯底完全不同。在藍(lán)寶石(A1(λ)或尖晶石(MgA炻(`)晶體上生長(zhǎng)硅單晶,就是異質(zhì)外延,這種外延也被稱(chēng)為⒏)S技術(shù),是應(yīng)用最多的異質(zhì)外延技術(shù)。在異質(zhì)外延中,若襯底材料與外延層材料的晶格常數(shù)相差很大,在外延層/襯底界面上就會(huì)出現(xiàn)應(yīng)力,從而產(chǎn)生位錯(cuò)等缺陷。這些缺陷會(huì)從界面向上延伸,甚至延伸到外延層表面,影響到制作在外延層上器件的性能。