直拉法生長(zhǎng)單晶硅的主要工藝流程為:準(zhǔn)備→開(kāi)爐→生長(zhǎng)9停爐。

準(zhǔn)備階段先清洗和腐蝕多晶硅,去除表面的污物和氧化層,放人坩堝內(nèi)。 K4T51163QG-HCE6再準(zhǔn)備籽晶,籽晶作為晶核,必須挑選晶格完整性好的單晶,其晶向應(yīng)與將要拉制的單晶錠的晶向一致,籽晶表面應(yīng)無(wú)氧化層、無(wú)劃傷。最后將籽晶卡在拉桿卡具上。

   開(kāi)爐階段是先開(kāi)啟真空設(shè)各將單晶生長(zhǎng)室的真空度抽吸至高真空,一般在102Pa以上,通入惰性氣體(如氬)及所需的摻雜氣體,至一定真空度。然后,打開(kāi)加熱器升溫,同時(shí)打開(kāi)水冷裝置,通入冷卻循環(huán)水。硅的熔點(diǎn)是1417℃,待多晶硅完全熔融,坩堝溫度升至約14⒛℃。

   生長(zhǎng)過(guò)程可分解為5個(gè)步驟:引晶→縮頸→放肩→等徑生長(zhǎng)一收尾。引晶又稱為下種,是將籽晶與熔體很好地接觸�？s頸是在籽晶與生長(zhǎng)的單晶錠之問(wèn)先收縮出晶頸,晶頸最細(xì)部分直徑只有2~3mm。放肩是將晶頸放大至所拉制晶錠的直徑尺寸,再等徑生長(zhǎng)硅錠.直至耗盡坩堝內(nèi)的熔體硅。最后收尾結(jié)束單晶生長(zhǎng)。

   晶體生長(zhǎng)中,控制拉桿提拉速度和轉(zhuǎn)速、坩堝溫度及坩堝反向轉(zhuǎn)速是很重要的,硅錠的直徑和生長(zhǎng)速度與上述囚素有關(guān)。在坩堝溫度、坩堝反向轉(zhuǎn)速一定時(shí),主要通過(guò)控制拉桿提拉速度來(lái)控制硅錠的生長(zhǎng)。即籽晶熔接好后先快速提拉進(jìn)行縮頸,再漸漸放慢提拉度進(jìn)行放肩至所需直徑,最后等速拉出等徑硅錠。