晶圓摻雜物的再分布：氧化過K4T51163QG-HCE6的硅表面總是有雜質(zhì)，在開始生產(chǎn)的硅晶圓卜，一般被摻雜為N型=導體或P型半導體。在以后的工藝中，晶圓表面用擴散或離子注入工藝完成摻雜．摻雜元素和濃度都對氧化牛長率有影響。例如，在經(jīng)過高濃度的磷摻雜后的表面上，氧化層比在其他層上生長的氧化層的密度低。這些磷摻雜的氧化層被刻蝕得更快，并且由于光刻膠的脫落及快速的鉆蝕現(xiàn)象的存在，使得刻蝕工藝更加難做，面臨一個新的挑戰(zhàn)。

   另一個對氧化生長率有影響的是氧化完成后，在硅中摻雜原子的分布引1�；仡櫾跓嵫趸�時，氧化層長人晶圓。問題是“在硅轉(zhuǎn)化成二氧化硅后，摻雜原子發(fā)生了什么？”，答案取決于摻雜物的傳導類型。N型摻雜物，如磷、砷、銻，它們在硅中比在二氧化硅中有更高的溶解度二，當前面的氧化層碰到它們時，它們將進人品圓里。在硅及二氧化硅之間，就像鏟雪機推一個大雪堆一樣。結(jié)果就是，N型摻雜物在硅及二氧化硅之間比在晶圓里有更離的濃度，稱之為“堆積”( pile-up)。

   當摻雜物是P型材料的硼元素時，就會產(chǎn)生相反的結(jié)果．，硼原子被拉入二氧化硅層，導致在交界處的硅原子被硼原子消耗盡，稱之為“耗盡”( depletion)。堆積和消耗這兩種不同作用的結(jié)果，會顯著地影響器件的電特性。堆積和消耗對于摻雜濃度的精確影響，將在第17章中說明？

   摻雜濃度對氧化率的影響隨著摻雜物的類型及濃度的不同而變化。通常來講，高摻雜區(qū)比低摻雜區(qū)氧化得更快。高濃度磷摻雜區(qū)是不摻雜區(qū)氧化率的2—5倍6i。

   可是，摻雜氧化影響在線性階段（薄氧化層）表現(xiàn)得更為顯著。