氧化雜質(zhì)：特定的雜質(zhì)，特別是氯K4X1G323PC-8GDP化氫( HCl)中的氯，被包含在氧化環(huán)境中（見7.4節(jié)）。這些雜質(zhì)對生長率有影響。在有氯化氫的情況下，生長率呵提高1%到5%引。

   多晶硅氧化：多晶硅的導(dǎo)體和柵極是大多數(shù)MOS器件或電路的特性。器件或電路工藝要求多晶硅氧化。與單晶硅相比，多晶硅可以更快、更低或相似。一些和多晶硅形成有關(guān)的因素會影響接下來的氧化。這些因素包括多晶硅淀積方法、淀積溫度、淀積壓力、摻雜的類型和濃度，以及多晶硅的晶體結(jié)構(gòu)。7。。

   差值氧化率及氧化臺階：經(jīng)過器件或電路制造工藝的初始氧化后，晶圓表畫的條件會有所不同，有些是場氧化的，有些是摻雜的，有些是多晶硅區(qū)，等等。每個區(qū)有不同的氧化率并依賴不同的條件氧化厚度會增加。氧化厚度的不同稱為差值氧化( differentialoxidation)。以MOS晶圓上的氧化為例，在相鄰的經(jīng)過輕度摻雜的漏極和源極，形成的多晶硅柵極，可以導(dǎo)致在柵極上的氧化層比較厚，這是因為二氧化硅在多晶硅上生長得比較快[見圖7.14(a)]。

   差值氧化率導(dǎo)致了在晶圓表面形成臺階[見圖7.14(b)]。圖中顯示的是與比較厚的場氧化區(qū)相鄰的氧化區(qū)形成了一個臺階。在暴露區(qū)的氧化反應(yīng)比較快，因為拋物線特性的限制，場氧化里的再氧化會受到限制。在暴露區(qū)，快速的氧化會比在場氧化層里消耗更多的硅。這一步如圖7. 14(b)所示。