射頻濺射(RF№tltte。llbo)是指激發(fā)氣體等離子化的電場(chǎng)是交變電場(chǎng)的濺射方法。1966年IBM公司首先研發(fā)出了射頻濺射技術(shù),它可以濺射絕緣介質(zhì)。 L78M05CDT這一濺射方法的出現(xiàn)解決了用直流濺射工藝無法制各不導(dǎo)電化合物薄膜的問題。圖⒏23所示是射頻濺射裝置示意圖。

   射頻是無線電波發(fā)射范圍的頻率,為了避免干擾電臺(tái)丁作,濺射專用頻率規(guī)定為13.56MHz。 在射頻電源交變電場(chǎng)作用下,氣體中的電子隨之發(fā)生振蕩,致使氣體等離子化。而安裝靶的和放置襯底的兩個(gè)電極上連接的是射頻電源,對(duì)于絕緣介質(zhì)靶,當(dāng)靶在射頻電壓的正半周時(shí),電子流向靶面,中和其表面積累的正電荷,并且積累電子,使其表面呈現(xiàn)負(fù)偏壓,導(dǎo)致在射頻電壓的負(fù)半周期時(shí)吸引正離子轟擊靶材,從而實(shí)現(xiàn)濺射。

   既然射頻濺射的兩個(gè)電極是連接在交變的射頻電源上,應(yīng)該就沒有陰、陽極之分了。而實(shí)際上,這兩個(gè)電極是不對(duì)稱的。如圖孓23所示,放置襯底的電極與真空室外殼相連并接地,另一個(gè)電極安裝靶。放置襯底的電極相對(duì)于安裝靶的電極而言,面積大得多�；陔x子鞘效應(yīng),兩個(gè)電極的電位加,濺射放電電流增加,薄膜淀積速率提高。但工作氣體的氣壓升高達(dá)某一值時(shí),飛濺出來的靶原子在飛向襯底的過程中將會(huì)受到過多的散射,因而淀積到襯底上的概率反而又會(huì)下降。因此,隨著工作 氣體的氣壓變化,淀積速率會(huì)出現(xiàn)一個(gè)極大值。