濺射工藝和蒸鍍工藝一樣,也多在制備微電子器件內(nèi)電極或集成電路互連系統(tǒng)的金屬、合金及PIC16F687T-I/ML硅化物薄膜時使用。因此,要求濺射工藝制備的薄膜保形覆蓋特性、附著性、致密性要好。對于金屬薄膜最好能夠控制其多晶態(tài)晶粒結(jié)構(gòu);又寸于合金或硅化物薄膜最好能夠準確控制其組成成分。

   濺射與蒸鍍薄膜質(zhì)量的比較

   (1)濺射薄膜的保形覆蓋特性好于蒸鍍薄膜。濺射逸出的靶原子到達襯底后一旦被吸附將沿著表面擴散,聚集成核,如果在表面的擴散遷移率高,就能形成平滑的保形性好的連續(xù)薄膜。而吸附在襯底表面原子的擴散遷移率是由襯底溫度和原子自身能量高低決定的。從靶面逸出的濺射原子比從源蒸發(fā)原子的動能高1~2個數(shù)量級,即使在到達襯底之前濺射原子與等離子體碰撞能量有所損失,但相對于在高真空下直線到達襯底的蒸發(fā)原子能量仍高得多,特別是磁控濺射原子,也是在高真空下直線到達襯底的,原子能量更高。因此,即使是在常溫襯底上濺射的薄膜也有較好的臺階覆蓋特性。

   (2)濺射薄膜附著性好于蒸鍍薄膜。由于濺射原子能量遠高于蒸發(fā)原子能量,淀積成膜過程中.通過能量轉(zhuǎn)換產(chǎn)生的熱能較高,從而增強了濺射原子與襯底的附著力。

   (3)濺射薄膜較蒸鍍薄膜密度大,針孔少。這也是因為濺射原子能量較高,使得其在襯底擴散遷移能力強,經(jīng)充分擴散,所淀積的薄膜也就致密了。