盡管相對于真空蒸鍍而言濺射薄膜的保形覆蓋特性有所提高,但在制備超大規(guī)模集成電路的高密度互連系統(tǒng)中的金屬、合金及化合物薄膜時, PIC18F8621其臺階覆蓋特性依舊是主要問題。

   濺射薄膜在光刻窗口處的淀積情況是最能顯示其保形覆蓋特性的。如圖⒏27所示是常溫下的磁控濺射薄膜臺階覆蓋隨時間增加而變化的剖視圖。磁控濺射襯底吸附原子有較高的擴散遷移率,但在臺階的上緣由于到達角大(270°),淀積膜較厚,趨向于形成突起;而接觸孔底角由于到達角小(90°),且又存在遮蔽效應(yīng),淀積膜較薄,趨向于形成凹陷。

   日前,改善濺射薄膜的保形覆蓋特性的方法主要有:充分升高襯底溫度,在襯底上加射頻偏壓,采用強迫填充技術(shù),采用準直濺射技術(shù)。

   為改善濺射薄膜的保形覆蓋特性,可以采取加熱襯底,升高襯底溫度的方法,以增強襯底所吸附濺射原子的表面擴散遷移率。但同時也要考慮襯底溫度升高,金屬多晶態(tài)薄膜的晶粒尺寸也隨之長大,使薄膜表面變得粗糙。而且襯底溫度升高也會帶來薄膜與襯底、薄膜與薄膜之間的互擴散增強現(xiàn)象。另外,濺射淀積薄膜時,靶的輻照加熱和高能工次電子轟擊產(chǎn)生的大量熱都會使襯底溫度升高。因此,必須綜合考慮各方面因素后再確定襯底的溫度,并對其進行有效控制。