電子束光刻膠也是涂在襯底表面用來實現(xiàn)圖形傳遞的物質(zhì),通過電子束曝光使得光刻膠層形成所需要的圖形。通常用于非光學光刻中的光刻膠由長鏈碳聚合物組成。 SC-20S在相鄰鏈上碳聚合物接收電子束照射的原子會產(chǎn)生移位,導致碳原子直接鍵合,這一過程稱為交聯(lián)。高度交聯(lián)的分子在顯影液中溶解較慢。根據(jù)聚合物照射前后發(fā)生交聯(lián)還是化學鍵斷裂可以將電子束光刻膠分為正性膠和負性膠。如果光刻膠在曝光后,其聚合物發(fā)生化學鍵斷裂,而分裂為容溶于顯影液的分子,則為正性光刻膠。反之,當曝光后光刻膠中的交聯(lián)占優(yōu)勢,光刻膠由小分子交聯(lián)聚合為大分子,曝光后的光刻膠難溶解于顯影液,則為負性光刻膠。當光刻膠顯影后,通過金屬化/剝離或刻蝕/去膠工藝就可以將所要的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上。

   常用的正性電子束抗蝕劑有PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)膠,是最早研制的,具有很高的分辨率,可達10nm,但靈敏度較低。PMMA膠的典型工藝條件是在165~180℃,前烘30~60min。顯影液為MIBA(甲基異丁基甲酮):IPA(異丙醇),其配比為l:3至1△。顯影后浸泡IPA30s即可將顯影區(qū)域去除。EBR9是丙烯酸鹽基類抗蝕劑,靈敏度比PMMA高10倍(20kV電子束),但分辨率僅為PMMA的1/10,最小分辨率只有0.2um。它具有曝光速率快、壽命長、顯影時不溶脹等優(yōu)點,廣泛用于掩膜制造中。其他的正性光刻膠還有高分辨率的ZEP、PBS等。但相對PMMA而言,靈敏度更高的光刻膠則分辨率要略低一些。負性光刻膠有更好的靈敏度,但容易在顯影過程中膨脹放大,使圖形失真,且其分辨率也比正膠低。