由于X射線具有很強的穿透能力,深紫外波段的光刻膠對X射線的吸收率很低,只有少SC250-030數(shù)人射的X射線能對光化學反應做貢獻,通常深紫外曝光的光刻膠在X射線波段靈敏度都非常低,其曝光效率要下降1~2個數(shù)量級。因此,提高X射線光刻膠的靈敏度是光刻膠發(fā)展的重要方向。提高X射線光刻膠靈敏度的主要方法是:在光刻膠合成時添加在特定波長范圍內(nèi)具有高吸收峰的元素,從而增強光化學反應。具體地說,針對特定的X射線波長,可以通過在光刻膠中摻人特定的雜質(zhì)來大幅度提高光刻膠的靈敏度。如在電子抗蝕劑中加人銫、鉈等,能增加抗蝕劑對X射線的吸收能力,使之可以作為X射線抗蝕劑,如PMMA。

    光學分辨率增強技術(shù)

    隨著半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的不斷加速,迫使芯片制造者在追求器件更高性能的同時又要追求加丁成本的經(jīng)濟性,從而竭力與摩爾定律保持一致的步伐。這就使廣泛運用的投影光學光刻技術(shù)拒絕放棄任何可能的機會,以頑強的生命力不斷地突破其先前認定的極限,達到最新前沿。其中,使投影光學光刻青春永駐的驅(qū)動力則是各種光學分辨率增強技術(shù)的不斷突破。光學分辨率增強技術(shù)理論的提出和應用突破了根據(jù)傳統(tǒng)光學理論所預言的投影光學光刻分辨極限的限制,可充分挖掘大量現(xiàn)有投影曝光系統(tǒng)及發(fā)展中的深紫外曝光系統(tǒng)的潛力。從廣義上講,光學分辨率增強技術(shù)包括移相掩膜技術(shù)(phase曲亻t mask)、離軸照明技術(shù)(o肛a妊s iⅡLllainaton)、光學鄰近效應校正技術(shù)(op。cd llro姑n1i1ycorrecton)以及其他一切在不增大數(shù)值孔徑和不縮短曝光波長的前提下,通過改變光波波前,來提高光刻分辨率,增大焦深和提高光刻圖形質(zhì)量的技術(shù)和方法。 F面就幾種常見的光學分辨率增強技術(shù)進行簡單的介紹。