建一座200mm的硅片工廠需投資10~15億美元,建一座30o mm的硅片工廠需投資20~30億美元,其中設(shè)各投資占60%~80%。單臺光刻設(shè)備的銷售價格也是越來越高。M93C66-MN6T如⒛01年248nmKrF⒏epper每臺約700萬美元,193nm ArF⒏eppcr每臺約1200萬美元。目前一臺用于45nm工藝的193nm ArF浸沒式光刻機(jī)售價達(dá)到2000~3000萬美元,而EUV光刻機(jī)價格更是高得驚人,預(yù)計售價將達(dá)到3000~5500萬美元,高端EUV光刻機(jī)T誡Ⅱcan NXE:3300B售價達(dá)到1.05億美元。

   設(shè)備研制聯(lián)合化

   光刻設(shè)備加工硅片大尺寸化和加工單片化、高精度化和全自動化需要投人大量的資金和科技人員,往往靠一個公司的力量是不夠的,需要走合作、聯(lián)合之路,共享成果。如極端遠(yuǎn)紫外光刻機(jī)的開發(fā)

費用高達(dá)10億美元,在ASMI'兼并SVGL之前,兩個公司就實現(xiàn)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,共同開發(fā)EUV光刻機(jī)。

   又如,由日本政府出面,有多家研究所、大學(xué)和半導(dǎo)體設(shè)各制造商參加的4項納米半導(dǎo)體中長期計劃(2001―⒛07年),其開發(fā)重點包括№C設(shè)備的相關(guān)技術(shù)、50~70nm工藝設(shè)備的相關(guān)技術(shù)和迷你型生產(chǎn)線技術(shù)等。

   本章首先論述光刻掩模板的制造,包括制版工藝簡介、掩模板的基本構(gòu)造及質(zhì)量要求、鉻版的制備技術(shù)、彩色版制備技術(shù)和光刻制版面臨的挑戰(zhàn);其次介紹了光膠,包括光刻膠的特征量、光學(xué)光刻 膠和其他光刻膠;繼而介紹光學(xué)分辨率增強(qiáng)技術(shù),包括移相掩膜技術(shù)、離軸照明技術(shù)、光學(xué)鄰近效應(yīng)校正技術(shù)和光瞳濾波技術(shù);以紫外光曝光技術(shù)為例介紹了基本的曝光方式,包括接近式曝光、接觸式曝光和投影式曝光;對其他曝光技術(shù)也做了簡要介紹,包括電子束曝光、X射線曝光和離子束曝光,并對新技術(shù)進(jìn)行了展望;最后介紹了光刻設(shè)備,包括接觸式光刻機(jī)、接近式光刻機(jī)、掃描投影光刻機(jī)、分步重復(fù)投影光刻機(jī)和步進(jìn)掃描投影光刻機(jī),并對光刻設(shè)備的發(fā)展趨勢進(jìn)行了展望。