濕法刻蝕參數如表111所示,在濕法刻蝕過程中必須控制基本的濕法刻蝕參數包括:刻蝕溶液的濃度、刻蝕的時間、反應溫度及溶液的攪拌方式等。 OB2353CPA由于濕法刻蝕是通過化學反應實現的,所以刻蝕溶液的濃度越高,或者反應溫度越高,薄膜的刻蝕速率也就越快。此外,濕法刻蝕的反應通常會伴有放熱和放氣。反應放熱會造成局部反應區(qū)域的溫度升高,使反應速率加快;反應速率加快叉會加劇反應放熱,使刻蝕反應處于不受控制的惡性循環(huán)中,其結果將導致刻蝕的圖形不能滿足要求。反應放氣所產生的氣泡會隔絕局部的薄膜與刻蝕液的接觸,造成局部的刻蝕反應停止。形成局部的缺陷。

   因此,在濕法刻蝕中需要進行攪拌。此外,適當的攪拌(如使用超聲波振蕩)還可以在一定程度上減輕對光刻膠下方薄膜的刻蝕。選擇一個濕法刻蝕的工藝,除了刻蝕溶液的選擇外,也應注意掩膜是否適用。一個適用的掩膜包含下列條件:①與被刻蝕薄膜有良好的附著性;②在刻蝕溶液中穩(wěn)定而不變質;③能承受刻蝕溶液的侵蝕。光刻膠便是一種很好的掩膜材料,它不需額外的步驟便可實現圖形轉印,但光刻膠有時也會發(fā)生邊緣剝離或龜裂。邊緣剝離的出現是由于光刻膠受到刻蝕溶液的破壞造成邊緣與薄膜的附著性變差,解決方法為在上光刻膠前先上一層附著促進劑,如六甲基二硅胺烷(HDMS)。出現龜裂則是因為光刻膠與薄膜之間的應力太大,減緩龜裂的方法就是利用較具彈性的光刻膠材質,來吸收兩者之間的應力。

   目前通常使用濕法刻蝕處理的材料包括s、Sll,2、S厶N∶、Al和Cr等。下面對此分別進行討論。