PN結(jié)自建電壓
發(fā)布時(shí)間:2017/10/11 21:50:16 訪問次數(shù):1441
熱平衡狀態(tài)下,半導(dǎo)體內(nèi)的自建電壓等于跨過整個(gè)耗盡區(qū)的電勢(shì)差。由于熱OB2353CPA平衡,意味著費(fèi)米能級(jí)在整個(gè)PN結(jié)二極管內(nèi)為常數(shù),這個(gè)自建勢(shì)將等于N型半導(dǎo)體費(fèi)米能級(jí)EFn和P型半導(dǎo)體費(fèi)米能級(jí)EⅡ之間的能級(jí)差除以電子電荷。它也等于N型半導(dǎo)體體電勢(shì)¢n和P型半導(dǎo)體體電勢(shì)∮p之和;隗w電勢(shì)對(duì)應(yīng)費(fèi)米能級(jí)和本征能級(jí)之間的能級(jí)差,可以得到如下自建電壓表達(dá)式:
理想PN結(jié)二極管方程:
對(duì)于理想二極管方程的推導(dǎo),我們?nèi)约俣?zhǔn)費(fèi)米能級(jí)在整個(gè)耗盡區(qū)恒定,在低注人條件型,在耗盡區(qū)邊緣的少數(shù)載流子密度由下式給出:
其中△n和氣p分別為N區(qū)和P區(qū)半導(dǎo)體的本征載流子濃度,ya為外加電壓。利用這些邊界少數(shù)載流子密度為邊界條件求解擴(kuò)散方程,并假設(shè)二極管為一個(gè)“長(zhǎng)”二極管,得到少數(shù)載流子和電流分布表達(dá).
熱平衡狀態(tài)下,半導(dǎo)體內(nèi)的自建電壓等于跨過整個(gè)耗盡區(qū)的電勢(shì)差。由于熱OB2353CPA平衡,意味著費(fèi)米能級(jí)在整個(gè)PN結(jié)二極管內(nèi)為常數(shù),這個(gè)自建勢(shì)將等于N型半導(dǎo)體費(fèi)米能級(jí)EFn和P型半導(dǎo)體費(fèi)米能級(jí)EⅡ之間的能級(jí)差除以電子電荷。它也等于N型半導(dǎo)體體電勢(shì)¢n和P型半導(dǎo)體體電勢(shì)∮p之和;隗w電勢(shì)對(duì)應(yīng)費(fèi)米能級(jí)和本征能級(jí)之間的能級(jí)差,可以得到如下自建電壓表達(dá)式:
理想PN結(jié)二極管方程:
對(duì)于理想二極管方程的推導(dǎo),我們?nèi)约俣?zhǔn)費(fèi)米能級(jí)在整個(gè)耗盡區(qū)恒定,在低注人條件型,在耗盡區(qū)邊緣的少數(shù)載流子密度由下式給出:
其中△n和氣p分別為N區(qū)和P區(qū)半導(dǎo)體的本征載流子濃度,ya為外加電壓。利用這些邊界少數(shù)載流子密度為邊界條件求解擴(kuò)散方程,并假設(shè)二極管為一個(gè)“長(zhǎng)”二極管,得到少數(shù)載流子和電流分布表達(dá).
熱門點(diǎn)擊
- 中頻變壓器(中周線圈)
- 拉尖是指焊點(diǎn)表面有尖角、毛刺的現(xiàn)象
- n-阱和p-阱的形成
- 自對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝
- 工序與工步
- 常用電阻器的額定功率及其外形尺寸
- PN結(jié)自建電壓
- 常用電阻器的額定功率及其外形尺寸
- 工藝文件的內(nèi)容
- 多物理場(chǎng)耦合
推薦技術(shù)資料
- 循線機(jī)器人是機(jī)器人入門和
- 循線機(jī)器人是機(jī)器人入門和比賽最常用的控制方式,E48S... [詳細(xì)]
- 全新高端射頻儀器
- 集成32位RISC-V處理器&
- 第三代半導(dǎo)體和圖像傳感器 參數(shù)封裝應(yīng)用
- 汽車半導(dǎo)體
- 人形機(jī)器人技術(shù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及發(fā)展分
- 紫光芯片云3.0整體解決方案
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究