n-阱和p-阱的形成
發(fā)布時間:2017/10/14 11:02:31 訪問次數(shù):4077
阱和″阱的形成如圖3,5所示,包括掩模形成和穿過薄犧牲氧化層(SAGox)的離子注人。 R1EX24256BSAS0A⒈阱和廣阱的形成順序?qū)ψ罱K晶體管的性能影響很小。后面會在ll阱中形成PMC)S,在「阱中形成NMOS,因此,⒈阱和Γ阱的離子注入通常是多路徑的(不同的能量/劑量和種類),這些注人不僅用于阱的形成,同時也用于PMOS和NMOS閾值電壓V1的調(diào)整和防止穿通。l・阱離子注人后使用RTA激活雜質(zhì)離子推進(jìn)雜質(zhì)深度。
阱和″阱的形成如圖3,5所示,包括掩模形成和穿過薄犧牲氧化層(SAGox)的離子注人。 R1EX24256BSAS0A⒈阱和廣阱的形成順序?qū)ψ罱K晶體管的性能影響很小。后面會在ll阱中形成PMC)S,在「阱中形成NMOS,因此,⒈阱和Γ阱的離子注入通常是多路徑的(不同的能量/劑量和種類),這些注人不僅用于阱的形成,同時也用于PMOS和NMOS閾值電壓V1的調(diào)整和防止穿通。l・阱離子注人后使用RTA激活雜質(zhì)離子推進(jìn)雜質(zhì)深度。
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