柵氧和多晶硅柵的形成
發(fā)布時間:2017/10/14 11:04:07 訪問次數:1491
柵氧和硬掩模柵層疊示意圖如圖3.6所示。用濕法去掉Sac°x以后,通過熱氧化生長第一層柵氧(為了高質量和低內部缺陷),然后形成打開核`b區(qū)域的掩模(通過使用掩模core),接著浸人到HF溶液中,隨后在核心區(qū)域通過熱氧化的方式生長晶體管的第二層柵氧。注意到I/O區(qū)域經歷了兩次氧化,R1EX24256BSAS0G因此正如所期待的,I/O晶體管的柵氧要更厚一些。
柵氧和硬掩模柵層疊示意圖如圖3.6所示。用濕法去掉Sac°x以后,通過熱氧化生長第一層柵氧(為了高質量和低內部缺陷),然后形成打開核`b區(qū)域的掩模(通過使用掩模core),接著浸人到HF溶液中,隨后在核心區(qū)域通過熱氧化的方式生長晶體管的第二層柵氧。注意到I/O區(qū)域經歷了兩次氧化,R1EX24256BSAS0G因此正如所期待的,I/O晶體管的柵氧要更厚一些。
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相關技術資料- 10-14柵氧和多晶硅柵的形成
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- R1EX24256BSAS0G
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