HDP-CVD中的再沉積問題
發(fā)布時間:2017/10/18 21:13:26 訪問次數(shù):1118
另外,在HDP CVD中的物理轟擊遵循碰撞中的動量守恒原理,因此被濺射出的物質(zhì)存在一定角度。NDB6060L隨著溝槽開口尺寸變小,當(dāng)轟擊離子質(zhì)量較大時,被轟擊掉的部分會有足夠的能量重新沉積到溝槽側(cè)壁另一側(cè)某一角度處,使得這些地方薄膜堆積,過多的堆積將會造成溝槽頂部在沒有完全填充前過快封口(見圖4,17)。隨著器件尺寸減小,填充能力的挑戰(zhàn)越來越大。為了減少物理轟擊造成的再沉積,HDP中的轟擊氣體主要經(jīng)歷了Ar→O2→He→H2的變化,通過降低轟擊原子的質(zhì)量來改善再沉積引起的填充問題。但是僅僅通過轟擊物質(zhì)的改變,溝槽填充能力的改善是有限的。
另外,在HDP CVD中的物理轟擊遵循碰撞中的動量守恒原理,因此被濺射出的物質(zhì)存在一定角度。NDB6060L隨著溝槽開口尺寸變小,當(dāng)轟擊離子質(zhì)量較大時,被轟擊掉的部分會有足夠的能量重新沉積到溝槽側(cè)壁另一側(cè)某一角度處,使得這些地方薄膜堆積,過多的堆積將會造成溝槽頂部在沒有完全填充前過快封口(見圖4,17)。隨著器件尺寸減小,填充能力的挑戰(zhàn)越來越大。為了減少物理轟擊造成的再沉積,HDP中的轟擊氣體主要經(jīng)歷了Ar→O2→He→H2的變化,通過降低轟擊原子的質(zhì)量來改善再沉積引起的填充問題。但是僅僅通過轟擊物質(zhì)的改變,溝槽填充能力的改善是有限的。
相關(guān)技術(shù)資料- 10-18HDP-CVD中的再沉積問題
- 6-8PCB中地平面之間的分布電容最大,
熱門點擊
推薦技術(shù)資料
- 全新高端射頻儀器
- 集成32位RISC-V處理器&
- 第三代半導(dǎo)體和圖像傳感器 參數(shù)封裝應(yīng)用
- 汽車半導(dǎo)體
- 人形機器人技術(shù)結(jié)構(gòu)設(shè)計及發(fā)展分
- 紫光芯片云3.0整體解決方案
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
