在幾何微縮(ge。methc scaling)中,首先遇到的問題是光刻技術中的挑戰(zhàn)。光刻工PT4115BSOH藝是集成電路制造過程中最直接體現(xiàn)其△藝先進程度的技術,光刻技術的分辨率(res。lution)是指光刻系統(tǒng)所能分辨和加工的最小線條尺寸,是決定光刻系統(tǒng)最重要的指標,也是決定芯片最小特征尺寸的原因。

   因而提高光刻分辨率的途徑有:①減小波長^;②增加數(shù)值孔徑(NA);③減小乃l。隨著集成電路的發(fā)展,為適應分辨率不斷減小的要求,光刻工藝中應用的光波的波長也從近紫外(NUV)區(qū)間的436nm、405nm、365nm波長進人到深紫外(DUV)區(qū)間的248nm、193nm波長。目前大部分芯片制造工藝采用了248nm和193nm光刻技術。其中248nm光刻采用的是KrF準分子激光,首先用于0.25um制造工藝,經過研究人員的努力,248nm光刻技術可以完全滿足0.13um制造工藝的需求。

   193nm光刻采用的是ArF準分子激光,傳統(tǒng)的193nm光刻技術主要用于0,l1um、90nm以及65nm的制造工藝。1999年版的ITRS曾經預計在0.10um制造工藝中將需要采用 157nm的光刻技術,但是目前已經被改良的193nm技術和193nm浸人式光刻技術所替代。這可以歸功于分辨率技術的提高,尤其是浸人式光刻技術在45nm技術節(jié)點上的應用。