所以在90nm以后,為改善物理轟擊所造成的問題,引入同位化學(xué)刻蝕對(duì)填充結(jié)構(gòu)輪廓進(jìn)行調(diào)整, NE5532APSR即在溝槽頂部封口前將其重新打開而不造成再沉積,使得薄膜可以bottom up填滿整個(gè)溝槽。其中NF3的干法刻蝕被認(rèn)為是一種非常有效的方法。NF3在等離子體中離解形成含氟的活性基團(tuán),它可以打斷已沉積薄膜中的S⒈0鍵,形成揮發(fā)性的siF1隨著多余的02一起被抽走,從而打開溝槽頂部。但是這種單步沉積亥刂蝕-沉積對(duì)填充能力的改善是 有限的。

   通過多步循環(huán)沉積蝕一沉積來實(shí)現(xiàn)對(duì)所填充結(jié)構(gòu)輪廓的調(diào)整,來降低溝槽填充的難度。這樣可以在保持HDP本身填充能力的同時(shí),通過NF3的刻蝕來重新調(diào)整溝槽的形狀,使得更多的材料可以填充進(jìn)去,保證溝槽不封口形成孔洞。