RCdelay對器件運(yùn)算速度的影響
發(fā)布時間:2017/10/21 12:40:33 訪問次數(shù):1949
R是連接導(dǎo)線的電阻,其中一些常見金屬導(dǎo)體的電阻(單位uΩ・cm)如下:K4J52324KI-HC1A
W/Al合金的電阻是4;
Al合金的電阻是3;
Cu電阻是1.7。
C與絕緣體(insulator)的介電常數(shù)相關(guān),列舉一些常見絕緣材料的介電常數(shù):
SiO2的介電常數(shù)是碴;
flu。rine s山∞n glass的介電常數(shù)是3.5;
black diamond的介電常數(shù)是3。
ρ是導(dǎo)線的電阻率;L是導(dǎo)線的長度;P是導(dǎo)線的寬度;T是導(dǎo)線厚度。
導(dǎo)線的寬度P與電阻成反比。隨著晶體管尺寸不斷縮小,電路也愈來愈密集,相應(yīng)地會減小導(dǎo)線的寬度P,在一定程度上會增加R值。
R是連接導(dǎo)線的電阻,其中一些常見金屬導(dǎo)體的電阻(單位uΩ・cm)如下:K4J52324KI-HC1A
W/Al合金的電阻是4;
Al合金的電阻是3;
Cu電阻是1.7。
C與絕緣體(insulator)的介電常數(shù)相關(guān),列舉一些常見絕緣材料的介電常數(shù):
SiO2的介電常數(shù)是碴;
flu。rine s山∞n glass的介電常數(shù)是3.5;
black diamond的介電常數(shù)是3。
ρ是導(dǎo)線的電阻率;L是導(dǎo)線的長度;P是導(dǎo)線的寬度;T是導(dǎo)線厚度。
導(dǎo)線的寬度P與電阻成反比。隨著晶體管尺寸不斷縮小,電路也愈來愈密集,相應(yīng)地會減小導(dǎo)線的寬度P,在一定程度上會增加R值。
上一篇：超低介電常數(shù)薄膜
相關(guān)技術(shù)資料- 10-21RCdelay對器件運(yùn)算速度的影響
熱門點(diǎn)擊
- 種子層
- 具有(110)晶面取向的襯底比具有(100)
- 等效柵氧厚度的微縮
- RCdelay對器件運(yùn)算速度的影響
- 常用的焊錫種類有哪些?
- 最后才用磷酸將氮化硅一次性去除
- TIN制程
- 大面積覆銅需要注意以下問題
- 刻蝕半導(dǎo)體硅材料層和部分埋入電介質(zhì)層(BOX
- 關(guān)鍵尺寸及套刻精度的測量
推薦技術(shù)資料
- 滑雪繞樁機(jī)器人
- 本例是一款非常有趣，同時又有一定調(diào)試難度的玩法。EDE2116AB... [詳細(xì)]
- DC/DC 轉(zhuǎn)換器數(shù)字模擬輸入
- 多層陶瓷電容器技術(shù)結(jié)構(gòu)參數(shù)設(shè)計
- 新型高效率ICeGaN
- Nordic相信無線連接解決方案
- 高數(shù)據(jù)吞吐量（HDT）發(fā)展趨勢
- 星閃Polar碼技術(shù)應(yīng)用探究
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
