在廣泛應(yīng)用于計算機(jī)、消費電子和通信領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)中,半導(dǎo)體存儲器技術(shù)占有一席之地。T435-600B-TR存儲器的類別包括動態(tài)隨機(jī)讀取存儲器(DRAM)、靜態(tài)隨機(jī)讀取存儲器(SRAM)、非易失性存儲器(NVM)或者閃存(Flash)。當(dāng)傳統(tǒng)的CMOs技術(shù)在65nm及以后的節(jié)點面臨速度與功耗的折中時,應(yīng)變工程和新型疊柵材料(高乃和金屬柵)可以將CMOS技術(shù)擴(kuò)展到32nm以及以后的節(jié)點。然而在接近32nm節(jié)點時,高層次的集成度導(dǎo)致在功耗密度增加時速度卻沒有提升。有一種方法可以在系統(tǒng)層面降低功耗和提升速度,那就是將存儲器和邏輯芯片集成在一起構(gòu)成片上系統(tǒng)(SoC)。有趣的是,DRAM和閃存基于單元電容、選擇晶體管和存儲單元的尺寸縮小卻導(dǎo)致了日益復(fù)雜化的工藝流程與CMOS基準(zhǔn)的偏差。因此,如果基于當(dāng)前的CM(DS與存儲器集成技術(shù),要實現(xiàn)存儲與邏輯集成在SoC上的應(yīng)用將是一個巨大的難題。

   幸運的是,最近在集成領(lǐng)域有一些非常重大的進(jìn)展,比如鐵電材料(如PZT(PbZrx Tlx(`),SBT(SrB1Ta2()9),BTO(B⒈T13012)體系),結(jié)構(gòu)相變(如GST硫化物合金),電阻開關(guān)(如perovskite氧化物(SrTi03,SrZr03(SZ()),PCMO,PZTO等),過渡金屬氧化物(如N←O,Ctt O,W-O,TiON,Zr C),F⒍O等),以及加速鐵電存儲器(FRAM)發(fā)展出的旋轉(zhuǎn)隧道結(jié)(如MgO基的磁性隧道結(jié))、相變存儲器(PCRAM)、電阻存儲器(RRAM)和磁性存儲器(MRAM)等。另外,這些各式各樣的存儲器在CMOS后端線的集成與前端線流程完全兼容。因此,不僅這些存儲器在將來有希望替代NVM和eDRAM,而且邏輯和存儲一起都可以很容易被集成到MOS基準(zhǔn)上。

   本節(jié)會依次回顧存儲器技術(shù)的最新發(fā)展水平和工藝流程,接下來將分析CM()S邏輯和存儲器的集成使得32nm及以后技術(shù)節(jié)點時實現(xiàn)高性能低功耗的∝)C成為可能。