而源漏極及輕摻雜源漏極的摻雜濃度相對越來越高,這就要求作為柵極氧化層的氮氧化硅中, NC7SV74K8X氮的含量越來越高,同時盡可能的靠近上表面。在這種情況下,等離子體氮化工藝就應(yīng)運(yùn)而生[3dJ。它主要是用氮?dú)饣虻?/span>氣和惰性氣體(如氦氣或氬氣)的混合氣,在磁場和電場感應(yīng)下產(chǎn)生等離子體,而形成的氮離子和含氮的活性分子/原子則通過表面勢擴(kuò)散至預(yù)先形成的超薄氧化硅表面,取代部分?jǐn)嗔?/span>的硅氧鍵中氧的位置,并在后續(xù)的熱退火步驟中將已經(jīng)形成較為穩(wěn)定的硅氮成鍵而固定下來。一個典型的等離子體氮氧化硅I藝示意圖如圖4.2所示,它具有工藝可控性和重現(xiàn)性好、形成的氮氧化硅氮含量高、均勻性好等優(yōu)點(diǎn)。等離子體氮化I藝的主要設(shè)各生產(chǎn)商有應(yīng)用材料公司(Applicd Material)和東電電子(Tok四Electr°n)。需要特別指出的是,氮氧化硅I藝復(fù)雜,材料受外部環(huán)境影響較大,不僅前后工藝流程間要控制時間(如與前面的預(yù)清洗I藝間,與后面的多晶硅沉積工藝問),本身工藝步驟間也要控制時間間隔和環(huán)境條件,所以通常的等離子體氮化I藝設(shè)各會把形成⒏O2的腔體。等離子體氮化的腔體及隨后的退火處理腔體都整合在一起(見圖4.3)。