ICPR的結(jié)構(gòu)如圖118所示,在反應(yīng)器上方有一介電層窗,其上方有螺旋纏繞的線圈,通過(guò)此感應(yīng)線圈在介電層窗下產(chǎn)生等離子體。等離子體產(chǎn)生的位置與晶片之問(wèn)只有幾個(gè)平均自由程的距離,故只有少量的等離子體密度損失,ICL7621DCBA可獲得高密度的等離子體。

    螺旋波等離子體刻蝕機(jī)的結(jié)構(gòu)如圖119所示,它有兩個(gè)腔:上面是由石英制成的等離子體來(lái)源腔;下面是刻蝕腔。等離子體來(lái)源腔外面包圍了一個(gè)單圈或雙圈的天線,用以激發(fā)13.56MHz的橫向電磁波。另外在石英腔外圍繞有兩組線圈,用以產(chǎn)生縱向磁場(chǎng),并與上面所提的橫向電磁波耦合產(chǎn)生共振,形成所謂的螺旋波。當(dāng)螺旋 波的波長(zhǎng)與天線的長(zhǎng)度相同時(shí),便可產(chǎn)生共振。采用這種方式,電波可將能量完全傳給電子,從而獲得高密度的等離子體。然后等離子體擴(kuò)散到刻蝕腔中,離子可被刻蝕腔中外加的RF偏壓加速,從而獲得較高的離子轟擊能量。等離子體擴(kuò)散腔外圍繞著大小相等、方向相反的永久磁鐵,目的在于避免離子或電子撞擊在腔壁上。