刻蝕I藝技術發(fā)展非常迅速,一方面是已有刻蝕工藝的完善提高,如干法刻蝕系統(tǒng)設備的不斷改進,工藝水平不斷提高;濕法刻蝕也向著標準化、自動化方向進步。ICM7555CBAZ(LF)另一方面,新刻蝕技術也在不斷出現(xiàn)并發(fā)展,下面僅舉幾例在干、濕法方面的新技術。

    四甲基氫氧化銨濕法刻蝕

  用于硅的無機刻蝕液一般都含有金屬離子,比如KOH的K+、N【)H的Na^、IⅠOH的h+等,這些金屬離子對器件是非常有害的,因此有機刻蝕液成為人們關注的焦點。其中,EPW(乙二胺匚NH2(CH2)2NH2彐)、鄰苯二酚EC6Hl(OH)2和水(H20)的簡稱彐刻蝕特性雖然優(yōu)秀,但是它有劇毒,對人的身體有害,而且刻蝕特性對溫度有很強的依賴性,刻蝕液中的痕量成分對刻蝕液具有很大影響。與之相對比,四甲基氫氧化銨(TetraMetl洌Ammonium H洌ro妯cle,TMAH)具有刻蝕速率快、晶向選擇性好、低毒性和對CMOS工藝的兼容性好等優(yōu)點,而成為常用的刻蝕劑。另外,TMAH價格高,并且在刻蝕過程中會形成表面小丘(Hillock),影響表面光滑性。因此對TMAH的研究主要集中在如何通過改變或調(diào)整TMAH刻蝕液成分的配比來改變刻蝕特性。