當金屬功函數(shù)大于p型而小于n型硅的功函數(shù)時,金屬與半導體接觸可以形成理想的歐姆接觸。 IL3585E但是,由于受金屬/半導體界面的表面態(tài)的影響,在半導體表面會感應(yīng)出空間電荷區(qū)(層),形成接觸勢壘。因此,即使是低勢壘高度,當半導體表面摻雜濃度較低時,也很難形成理想的歐姆接觸。其實,這種情況的金屬與半導體接觸是肖特基接觸,如鉑與p型硅就是這種肖特基接觸。

   高復合中心歐姆接觸

   當半導體表面具有較高的復合中心密度時,金屬一半導體間的電流傳輸將主要受復合中心產(chǎn)生一復合機構(gòu)所控制。高復合中`b密度會使接觸電阻明顯減小,伏安特性近似對稱,在此情況下,半導體

也可以與金屬形成歐姆接觸。電力半導體器件接觸電極、r背面金屬化(如硅片背面蒸金)常采用這種方式形成歐姆接觸。引人高復中心的方法還有很多,如噴砂、離子注人、擴散原子半徑與半導體原子半徑相差較大的雜質(zhì)等。